About / Advertise
Teknikjätten Samsung designar och tillverkar inte bara egna halvledarkretsar. Företaget är också en konkurrent med bland annat TSMC och Intel på foundrymarknaden. På sitt årliga USA-forum förra veckan stakade företaget ut vägen till 4 nm.
Det är lite som nedräkningen inför en raketuppskjutning även om man inte kommer till noll. Från dagens 10 nm blir det 8 nm, 7 nm, 6 nm, 5 nm och 4 nm. Testkretsar med 4 nm ska komma redan 2020.
• 8LPP (8 nm Low Power Plus) blir en nedskalad version av dagens process kallad 10LPP med bättre prestanda och tätare packade transistorer. Processen ska köras igång redan i år.
• 7LPP (7 nm Low Power Plus) blir den första processnod som lämnar den traditionella litografin till förmån för EUV, extremt ultraviolett ljus. Den kommande litografimaskinen får en ljuskälla på 250 W och utvecklas gemensamt av Samsung och nederländska ASML. Processen ska komma igång nästa år.
• 6LPP (6 nm Low Power Plus) blir en nedskalad variant av 7LPP som ger bättre prestanda och mindre transistorer. Den ska dras igång 2019.
• 5LPP (5 nm Low Power Plus) blir en förbättrad variant av 6LPP där Samsung tänker plocka in vissa delar från den kommande 4 nm-noden för att kunna skala FinFET-transistorerna en sista gång innan det är dags för en ny grundarkitektur.
• 4LPP (4 nm Low Power Plus): är en helt ny generation baserad på vad Samsung kallar MBCFETTM (Multi Bridge Channel FET). Det är företagets egen variant av en ny typ av transistor kallad GAAFET (Gate All Around FET). De första testskretsarna ska se dagens ljus under 2020.
Dessutom planerar Samsung för en ny generation av sin process med kisel-på-isolator, på 18 nm. FD-SOI (Fully Depleted – Silicon on Insulator) är en strömsnål process som Samsung anser passar för bland annat IoT-tillämpningar. Den nya generationen kommer att klara rf-delar (läs trådlös uppkoppling) och få eMRAM (embedded Magnetic Random Access Memory).
