About / Advertise 
Det absolut dyraste steget i de mest avancerade halvledarprocesserna är litografin. Det svenska uppstartsbolaget Alixlabs vill sänka kraven på det med plasmabaserad torretsning och har med hjälp av wafers från Intel visat att det fungerar i vad som motsvarar en 3 nm-process. Resultaten presenteras på en mässa i Kalifornien i slutet av februari.
– Med hjälp av Intels Test Vehicle Program har vi bevisat att strukturer under 5 nm är möjliga på kisel i massproduktion enbart genom etsning, säger Alixlabs teknikchef och medgrundare Dmitry Suyatin i ett pressmeddelande.
Företaget utgick från en långsmal struktur på 50 nm och etsade sedan ett dike mitt i den vilket resulterade i två parallella strukturer om 6,5 nm vardera och med ett avstånd på 25 nm. Bredden kallas CD (critical dimension) och avståndet för pitch.
– Pitchen motsvarar då Metal Pitch för 3 nm (Samsung, TSMC) eller Intel 4 (typ samma). Den minsta transistorn (GAAFET) som Intel någonsin presenterat har en CD på ca 6 nm, skriver Jonas Sundkvist på Alixlabs i ett mail.
Wafern är på 300 mm och har processats i den plasmaetsare som Alixlabs beställt från Nanovac i Staffanstorp. En andra version ska levereras senare i år.
Håller tekniken det den lovar blir det möjligt att ersätta dagens EUV-litografi med billigare DUV-maskiner utan att behöva använda dubbla masker, double patterning.
Nyheten kommer att presenteras på SPIE Advanced Lithography + Patterning i San Jose, Kalifornien, 23-27 februari.
