About / Advertise
Japanska Toshiba har utvecklat ett ferroelektriskt minne som har fyra gånger högre densitet och är åtta gånger snabbare än tidigare alternativ. En första prototyp ska visas upp på halvledarkonferens ISSCC, som just nu pågår i San Francisco.
Det ferroelektriska minnet – FeRAM – som Toshiba säger sig ha utvecklat lagrar 128 Mbit och har en läs- och skrivhastighet på 1,6 Gbyte per sekund. Tidigare har Toshiba lanserat FeRAM om 32 Mbit och som skyfflar data med 200 Mbyte per sekund. Det nya minnet ska presenteras i sin helhet under årets halvledarkonferens ISSCC, hävdar Toshiba i ett pressmeddelande som även det avslöjar en del intressanta detaljer. Där hävdar företaget att man modifierat sin äldre arkitektur, kallad ChainFeRAM, för att skapa minnen som kan skalas bättre. Ett av huvudproblemen med FeRAM, och även andra icke-flyktiga minnen är just att de skalar dåligt med processen.
Till detta hör också att Toshiba lyckats integrera ett DDR2-gränssnitt. Det innebär, enligt företaget, att minnets datahastighet har kunnat skruvas upp till 1,6 Gbyte/s utan att för den skull dra mer effekt än tidigare.
Det nya minnet är tänkt att användas i en mängd tillämpningar, exempelvis som huvudminne i mobiltelefoner och andra bärbara konsumentprodukter eller som cacheminne i bärbara datorer och halvledarbaserade hårddiskar, så kallade solid-state drives (SSD). Minnet är tillverkat i 130 nm och matas med 1,8 V. Toshiba säger inget om när minnet ska finnas tillgängligt.
