JavaScript is currently disabled.Please enable it for a better experience of Jumi. CGD vill kombinera GaN med IGBT:er i elbilar

Engelska CGD lanserar en inverterlösning med galliumnitrid och IGBT:er som klarar effekter på 100 kW eller mer. Företaget utmanar därmed kraftelektronik baserad på kiselkarbid i elbilsinvertrar.

Tesla var först med att använda kiselkarbidtransistorer i sina invertrar redan 2018, många andra tillverkare har följt efter. Materialet ger mindre förluster och har mindre storlek och vikt jämfört med IGBT:er vilket resulterar i större räckvidd per laddning.

Men kiselkarbid har hittills varit dyrare än kiselbaserade invertrar med IGBT:er, även om massiva investeringar i produktionskapacitet i kombination med övergången till åttatumsskivor fått priserna på kiselkarbidkomponenter att falla.

CGD:s lösning är en kombination av HEMT:ar i GaN och IGBT:er i kisel där de förstnämnda används vid lägre effektuttag där IGBT:er är ineffektiva, medan IGBT:erna kliver in vid högre effektuttag. Exakt när det sker beror bland annat på temperaturen.

Vid högre temperaturer kommer IGBT:n att börja leda vid lägre on-spänning, vilket kompenserar för förlusten av ström i GaN-transistorn. Omvänt vid lägre temperaturer kommer GaN-transistorn att ge mer ström.

Sammantaget sänker kombinationen förlusterna jämfört med en ren IGBT-lösning samtidigt som den blir billigare än en kiselkarbidlösning, enligt CGD.

Än så länge är det dock en papperskonstruktion. En första demonstrator ska bli klar mot slutet av året.

Prenumerera på Elektroniktidningens nyhetsbrev eller på vårt magasin.


MER LÄSNING:
 
KOMMENTARER
Kommentarer via Disqus

Rainer Raitasuo

Rainer
Raitasuo

+46(0)734-171099 rainer@etn.se
(sälj och marknads­föring)
Per Henricsson

Per
Henricsson
+46(0)734-171303 per@etn.se
(redaktion)

Jan Tångring

Jan
Tångring
+46(0)734-171309 jan@etn.se
(redaktion)