Engelska CGD lanserar en inverterlösning med galliumnitrid och IGBT:er som klarar effekter på 100 kW eller mer. Företaget utmanar därmed kraftelektronik baserad på kiselkarbid i elbilsinvertrar.
Tesla var först med att använda kiselkarbidtransistorer i sina invertrar redan 2018, många andra tillverkare har följt efter. Materialet ger mindre förluster och har mindre storlek och vikt jämfört med IGBT:er vilket resulterar i större räckvidd per laddning.
Men kiselkarbid har hittills varit dyrare än kiselbaserade invertrar med IGBT:er, även om massiva investeringar i produktionskapacitet i kombination med övergången till åttatumsskivor fått priserna på kiselkarbidkomponenter att falla.
CGD:s lösning är en kombination av HEMT:ar i GaN och IGBT:er i kisel där de förstnämnda används vid lägre effektuttag där IGBT:er är ineffektiva, medan IGBT:erna kliver in vid högre effektuttag. Exakt när det sker beror bland annat på temperaturen.
Vid högre temperaturer kommer IGBT:n att börja leda vid lägre on-spänning, vilket kompenserar för förlusten av ström i GaN-transistorn. Omvänt vid lägre temperaturer kommer GaN-transistorn att ge mer ström.
Sammantaget sänker kombinationen förlusterna jämfört med en ren IGBT-lösning samtidigt som den blir billigare än en kiselkarbidlösning, enligt CGD.
Än så länge är det dock en papperskonstruktion. En första demonstrator ska bli klar mot slutet av året.