About / Advertise
I mitten av september samlades drygt 400 av de ledande kiselkarbidforskarna i Kyoto, Japan för att diskutera de senaste rönen när det gäller utvecklingen för materialframställning och elektroniska komponenter baserade på kiselkarbid. Konferensen ICSCRM 95 hålls vartannat år och är mycket central för denna forskning.
Sverige fjärde störst
Svensk forskning var väl representerad och vi var faktiskt fjärde största nation, både när det gäller antal presentationer som antal närvarande forskare. Endast Japan, USA, och Tyskland deltog med större delegationer. Under fyra dagar presenterades nästan 300 forskningsrapporter, allt från materialgrodd till mikrovågskomponenter för mycket höga frekvenser.
Mycket lovande resultat visades för skivtillverkning. Redan idag kan man i princip köpa 50 mm skivor.
Cree Research Inc, USA, som är den ledande tillverkaren, annonserade att man under senare delen av 1996 troligen kommer att erbjuda skivor med mycket låg defekttäthet till ett pris på cirka 70 dollar per cm2, vilket innebär att priset rasat med en faktor 4-5 under de senaste fyra åren.
Man kommer också att släppa så kallade semi-isolerande substrat för mikrovågsapplikationer under 1996. Förutom Cree Research finns nu ytterligare tre skivtillverkare på marknaden vilket ökar konkurrensen.
Kretsar som klarar 300°C
Den svenska forskningsgruppen från Linköpings universitet mötte stort gensvar för sina nya resultat från högtemperatur CVD (HTCVD). Denna teknik medger hög deponeringshastighet av epitaxiella SiC skikt med hög kvalitet.
De andra svenska forskargrupperna från KTH och IMC (Industriellt Mikroelektronik Centrum) presenterade också uppskattade resultat om komponentsimulering, kontaktstudier och oxidkarakterisering.
Några intressanta komponentresultat från USA bör nämnas. Mikrovågskomponenter i SiC, i MESFET teknik, visade gränsfrekvenser på cirka 42 GHz med en så kallad power added efficiency tre gånger större än för GaAs komponenter.
Intressant att notera var också att man lyckats göra enklare integrerade kretsar med upp till 200 transistorer i SiC. Dessa kretsar fungerade dessutom vid hela 300 C.
Som framgått av tidigare artiklar i Elektroniktidningen (se 1/95, s 19) är den svenska kiselkarbidsatsningen av världsklass vilket även manifesterades vid denna konferens. Sveriges betydelse inom kiselkarbidvärlden manifesterades genom att vi lyckats bli värdland för nästa konferens med professor Erik Janzén som ordförande.
Mikael Östling
Mikael Östling är forskare på Institutionen för fasta tillståndets elektronik på KTH.
