JavaScript is currently disabled.Please enable it for a better experience of Jumi. Ljus framtid för mikrovågshalvledare

Marknaden för radiofrekvens- och mikrovågskretsar växer med cirka 17 procent årligen fram till år 2000. Det förutspår marknadsanalysföretaget Allied Business Intelligence, ABI, som nyligen publicerat en studie.

Den hårda prispressen och de allt mer integrerade kretsarna gör dock att segmentet inte förmår hålla jämna steg med mobiltelefonindustrins 35-procentiga tillväxttakt trots att runt 70 procent av komponenterna går dit.

Det finns i dagsläget ett femtiotal tillverkare av RF- och mikrovågshalvledare. ABI förutspår dock att antalet kommer att minska genom fusioner och uppköp. Orsaken står att finna i att de stora kunderna, det vill säga tillverkare av mobiltelefoner, personsökare och GPS-mottagare, kräver komponenter med allt högre funktionalitet. Resultatet kommer, enligt ABI, att bli ett fåtal dominerande tillverkare som kan erbjuda kompletta lösningar.



Ljus framtid för distribution


Mobiltelefonindustrin består av ett litet antal, lätt identifierade företag och försäljningen till dessa sköts därför till största delen utan mellanhänder.

Men trots att en så stor del av RF- och mikrovågskomponenterna går direkt från tillverkarna till kunderna så kommer distributörerna inte att försvinna. Deras roll blir även framgent att hitta nya kunder och avlasta tillverkarna genom att hjälpa de mindre erfarna kunderna.

ABI bedömer därför att distributörsmarknaden växer med 25 procent årligen.



Kisel leder stort


Föga förvånande förutspår ABI att kisel förblir det dominerande materialet fram till år 2000, även om galliumarsenid, GaAs, fortsätter att växa.

Dessutom kan nya material som kiselkarbid och kiselgermanium börja få viss betydelse.

Kislets stora fördel är det låga priset. Det är upp till 50 procent billigare än galliumarsenid. En orsak är att man i kiselprocesserna använder åtta- eller sextumsskivor medan galliumarsenid inte kommit längre än till tre eller fyra tum.

Svagheten med kisel är den något högre effektförbrukningen på mellan tre och sju procent. Det har också lägre övergångsfrekvens, Ft, liksom sämre brusfaktor. Och nackdelarna ökar med frekvensen.

GaAs-tekniken utvecklades ursprungligen för militära tillämpningar. Men i takt med att försvarsanslagen krympt har de civila tilllämpningarna blivit allt viktigare.

Vanliga produkter i galliumarsenid är switchar för omkoppling mellan sändning och mottagning. GaAs-kretsar förekommer också i lågbrus- och effektförstärkare.

Kiselgermanium, SiGe, befinner sig fortfarande på forskningsstadiet men kan få stor betydelse om det blir kommersiellt användbart. Materialkombinationen förbättrar kislets högfrekvensegenskaper samtidigt som många av dess kostnadsfördelar bibehålls.

Ett företag som satsat stort på SiGe är amerikanska IBM, bland annat har företaget förutspått kretsar som innehåller både högfrekvens- och basbandsdelen, men ännu har ingen kommersiellt användbar process kommit fram.

Per Henricsson

Rapporten kan beställas från danska IPI, +45 43 71 20 44.

Prenumerera på Elektroniktidningens nyhetsbrev eller på vårt magasin.


MER LÄSNING:
 
KOMMENTARER
Kommentarer via Disqus

Anne-Charlotte Lantz

Anne-Charlotte
Lantz

+46(0)734-171099 ac@etn.se
(sälj och marknads­föring)
Per Henricsson

Per
Henricsson
+46(0)734-171303 per@etn.se
(redaktion)

Jan Tångring

Jan
Tångring
+46(0)734-171309 jan@etn.se
(redaktion)