Minnena har utvecklats med stormsteg sen Intel kom med sitt första SRAM 1969. året efter kom samma företag med världens första DRAM. Båda gjordes i den då nyfödda MOS-tekniken.
 
Som vanligt när det gäller elektronikutveckling har saken också en språklig sida. SRAM och DRAM var de första kryptiska akronymerna, och de har sen dess följts av många fler. Listan här intill upptar de 20 vanligaste varianterna och några som kan blir framtidens halvledarminnen. SRAM och DRAM är de två urtyperna av minnen.
 
Idag utgör de två familjer, där särskilt DRAM-familjen har förökat sig som kaniner. Förledet RAM som ingår i många minnesnamn innebär att minnet har en struktur där data kan adresseras. Data lagras i eller hämtas från den minnescell som adressen anger.
 
Ett RAM kan vara ett halvledarminne, men också ett skivminne eller ett magnetband. Antitesen till RAM är skiftregistren, en mycket enklare form av minnen där data lagras i en följd och sen matas ut i samma följd - FIFO, First In First Out - eller i motsatt följd - FILO, First In Last Out. SRAM, statiska minnen, behåller sitt minnesinnehåll tills matningsspänningen bryts. DRAM, dynamiska minnen, måste ständigt få sitt minnesinnehåll förnyat, "refreshed".
 
Man kan säga att en minnescell i ett SRAM kan behålla laddningar så länge som minnet har en matningsspänning, medan ett DRAM måste tillföras laddningar. SRAM är snabbare än DRAM, men de tar större plats, drar mer effekt och är mycket dyrare. Det är huvudskälet till att DRAM-familjen är större än SRAM-familjen.
 
Ett statiskt minne är större och dyrare bland annat för att det behövs fler komponenter för att lagra en bit. För det behöver ett SRAM minst fyra transistorer, medan ett DRAM klarar sig med en transistor och en kondensator. Minnestyperna används ofta sida vid sida. I persondatorer används snabba men dyra SRAM när processorn mellanlagrar data i ett särskilt snabbminne, cache- minnet. DRAM används istället i datorns internminne.
 
Ett specialfall av SRAM är PROM. Ett PROM behåller sitt minnesinnehåll även när matningsspänningen bryts. En utvecklad variant är EPROM. Där kan data raderas via ultraviolett ljus. Innehållet i minnet kan bytas ut vid behov med hjälp av en PROM-brännare. EEPROM liknar EPROM med skillnaden att data raderas eller skrivs in elektriskt. En vidare utvecklad typ är flash-minnet. Det går mycket snabbare att skriva till, eller radera, ett flashminne än ett vanligt EEPROM. Det beror på att i flashminnet skrivs hela minnesblock på en gång, medan det i ett EEPROM görs med en byte i taget.
 
 
UR-DRAM används knappast mer
 
DRAM i sin ursprungliga form används knappt numera. De har ersatts av förbättrade, det vill säga allt snabbare och mer effektsnåla varianter. Ett sätt att öka hastigheten är att effektivisera adresseringen i minnet. Ofta kallas även de för DRAM. FPMDRAM är en sådan modern variant. En annan är EDODRAM, som använder en adressering med en viss överlappning i tiden mellan stegen.
 
EDODRAM är väldigt vanliga i kretsar som använder Intelprocessorer. Minnestypernas popularitet och kommersiella framgång beror till en stor del hur de passar ihop med olika processorer eller dess kringkretsar. En minneskrets som inte passar ihop med Intels processorer hamnar därmed i ett rejält kommersiellt underläge. Ett praktexempel är BEDODRAM, ett minne som är mycket snabbare än EDODRAM på grund av att det utnyttjar en rörledningsteknik (pipeline).
 
Trots att det här minnet är så snabbt utan att för den skull vara nämnvärt dyrare att tillverka har det hamnat i skymundan på grund av att det inte passar ihop med Intels processorer.
 
Istället har en ytterligare vässad variant av DRAM börjat att ta över, kallad SDRAM. Dessa kretsar är snabbare än vanliga DRAM, om än inte så snabba som SRAM. Dataflödet går synkront med systemklockan, och minnet kan läsa och skriva data vid varje klockcykel.
 
Det är ett stort framsteg framför tidigare DRAM-typer, där skrivning och läsning tar två eller fler klockcykler. Om systemet måste "vänta" fler klockcykler på data kallas det för motsvarande antal väntetillstånd, "wait states".
 
Ett SDRAM har alltså noll väntetillstånd. Det finns flera olika sätt att få upp hastigheten med DRAM. DDR-SDRAM är ingen relik från det forna östtyskland, utan ett SDRAM som utnyttjar klockcykeln bättre än ett vanligt SDRAM. Här sker dataöverföringen både på klockcykelns stigande och fallande flank vilket gör DDR-SDRAM dubbelt så snabbt som SDRAM, och kallas därför ofta för SDRAM II.
 

Företagsnamn i förkortningar
 
När minnestillverkarna laborerar med nya arkitekturer stämplar de givetvis sin egen förkortning på dem. MDRAM är ett exempel, där tillverkaren MoSys bygger sina minnen på att det har många små (32 kbit) minnesbankar. Bankarna har sina egna in- och utgångar som arbetar mot minnets inbyggda, snabba internbuss.
 
Ett annat exempel är SLDRAM. Det kommer från SyncLink, ett konsortium av data- och elektroniktillverkare. MDRAM och SLDRAM hänger dock en smula i luften eftersom den dominerande processortillverkaren, Intel, satsar på ett minne som kallas för RDRAM. Det utvecklas av Rambus Corporation, och Intel har köpt en licens för tillverkning av minnet. RDRAM har en udda uppbyggnad.
 
Precis som slutledet "bus" i företagsnamnet antyder arbetar minnet med en speciell databuss, en smal åttabitsbuss. Det den inte har i bredd kompenserar den med en mycket hög hastighet. Till skillnad från i synnerhet SLDRAM är RDRAM mer än en papperskonstruktion.
 
Minnestypen finns redan, bland annat som ersättare för dyra videominnen. Per Stymne Frilansjournalist
 
Minneslapp om minnesnamn
 
Allmänna termer
RAM Random Access Memory. Läs- och skrivbart minne. RWM Read and Write Memory. Samma som RAM. ROM Read-Only Memory. Läsminne. UMA Unified Memory Architecture. är inte en minnestyp utan en minnesarkitektur där olika enheter i till exempel en dator delar på samma minne. NVRAM Non-Volatile Random Access Memory. Icke-flyktigt minne.
 
Dynamiska minnen
DRAM Dynamic Random Access Memory. Urtypen för ett dynamiskt läs- och skrivbart minne. Vid adressering sänds först radadressen och därefter kolumnadressen. Har i stort sett ersatts av FPMDRAM. FPMDRAM Fast Page Mode DRAM. Förbättrad version av DRAM med snabbare adressering. Radadressen sänds en enda gång för flera närliggande minnesceller. Kallas numera oftast för bara DRAM.
 
EDOdRAM Extended Data Out DRAM. Förbättrat FPMDRAM med lite snabbare minnseåtkomst genom att minnesåtkomsterna överlappar varandra något i tiden. BEDOdRAM Burst Extended Data Out DRAM. Förbättrat FPMDRAM med mycket snabbare minnseåtkomst genom rörledningsteknik. Stöds dock ej av Intels chipsset. SDRAM
 
Synchronous DRAM Synkroniserat med bussklockan och kan därför köras i mycket högre hastigheter, över 100 MHz, än FPMRAM och EDORAM. Vanligt i bland annat snabba PC.
 
DDR-SDRAM Double Data Rate-SDRAM. överför data på både klockcykelns stigande och fallande flank, vilket gör det dubbelt så snabbt som ett vanligt SDRAM. Kallas även SDRAM II.
 
SGRAM Synchronous Graphic RAM. Används i grafik- och videokretsar. Använder speciell skrivteknik för att nå en hög bandbredd.
 
VRAM Video RAM. Läs- och skrivminne för grafiktillämpningar. WRAM Window Random Access Memory. Företagsspecifikt (Samsung). Läs- och skrivminne för grafiktillämpningar. Snabbare än VRAM.
 
MDRAM Multibank DRAM. Minne delat i flera delar med egna in- och utgångar mot en gemensam buss. Företagsspecifikt (MoSys).
 
RDRAM Rambus DRAM. Konkurrent till SLDRAM. Företagsspecifikt (Rambus). Backas upp av Intel.
 
SLDRAM SyncLink Dynamic Random Access Memory. Konkurrent till RDRAM. Företagsspecifikt (SyncLink)
 

Statiska minne
 
n SRAM Static Random Access Memory. Statiskt läs- och skrivbart minne. Snabbare och dyrare än dynamiskt minne. Behåller sitt minnesinnehåll tills matningsspänningen bryts.
PROM Programmable Read-Only Memory. Programmerbart läsminne som bara skrivas till en enda gång. Behåller sitt innehåll även när matningsspänningen bryts.
 
EPROM Erasable PROM. Raderbart (och skrivbart) läsminne. Radering och skrivning sker med UV-ljus i en ROM-brännare. Behåller sitt innehåll även när matningsspänningen bryts.
 
EEPROM Electrically Erasable PROM. Raderbart läsminne. Radering och skrivning sker elektriskt en byte i taget. Flash Heter egentligen Flash EEPROM. är snabbare än vanliga EEPROM eftersom skrivning sker till hela block i stället för en byte i taget. PS