About / Advertise
Med hjälp av en ny BiCMOS-process på 0,25 μm ska Philips Semiconductors göra kretsar helt i kisel för tredje generationens mobiltelefonteknik. Enligt företaget blir dessa bättre och billigare än dagens kiselgermaniumbaserade kommunikationskretsar.
Philips Semiconductors har nyligen presenterat en 0,25 µm-version av sin BiCMOS-process. Processen, som går under namnet QUBiC4, ger transistorer med en överföringsfrekvens på över 40 GHz och maximal oscillationsfrekvens på upp till 90 GHz. Enligt företaget slår tekniken därmed SiGe-baserad teknik.
Processen kan utnyttjas för alla tillämpningar upp till 5 GHz. Och det faktum att man kan undvika att utnyttja SiGe innebär, enligt företaget, en kostnadsbesparing på upp till 20 procent. Philips erkänner dock att tillämpningar med högre frekvenser, såsom 10-40 Gbit/s i optiska system, även kräver SiGe. Företaget håller därför på att vidareutveckla processen så att tillverkning av SiGe-transistorer kan integreras med QUBiC4-processen.
Separeringen av kretsens olika delar har förbättrats i processen med hjälp av teknik som förser strukturen med djupare isoleringsdiken (trenches på engelska). Normalt isoleringsdjup utnyttjas visserligen fortfarande för att separera enskilda transistorer, men ett djup på 6 µm utnyttjas för att isolera bipolära delar från CMOS-baserade delar. Enligt Philips är detta nog för att i exempelvis en radiokrets isolera ljudförstärkare, styrkrets och kraftförstärkare från varandra.
Philips säger sig dessutom ha löst de problem som hittills varit förknippade med användningen av tantalpentoxid. En oledande film av materialet kan därför utnyttjas i kondensatorerna, som därmed kan göras en tredjedel så stora. Det gör det möjligt att med QUBiC4 bygga mer komplicerade rf-kretsar än med föregångaren.
Processen kan utnyttjas för alla tillämpningar upp till 5 GHz. Och det faktum att man kan undvika att utnyttja SiGe innebär, enligt företaget, en kostnadsbesparing på upp till 20 procent. Philips erkänner dock att tillämpningar med högre frekvenser, såsom 10-40 Gbit/s i optiska system, även kräver SiGe. Företaget håller därför på att vidareutveckla processen så att tillverkning av SiGe-transistorer kan integreras med QUBiC4-processen.
Separeringen av kretsens olika delar har förbättrats i processen med hjälp av teknik som förser strukturen med djupare isoleringsdiken (trenches på engelska). Normalt isoleringsdjup utnyttjas visserligen fortfarande för att separera enskilda transistorer, men ett djup på 6 µm utnyttjas för att isolera bipolära delar från CMOS-baserade delar. Enligt Philips är detta nog för att i exempelvis en radiokrets isolera ljudförstärkare, styrkrets och kraftförstärkare från varandra.
Philips säger sig dessutom ha löst de problem som hittills varit förknippade med användningen av tantalpentoxid. En oledande film av materialet kan därför utnyttjas i kondensatorerna, som därmed kan göras en tredjedel så stora. Det gör det möjligt att med QUBiC4 bygga mer komplicerade rf-kretsar än med föregångaren.
Gittan Cedervall
