About / Advertise
Genom att dopa kisel i intervaller i stället för jämnt över hela skivan säger sig brittiska Sceptre Electronic kunna ta fram snabbare transistorer utan att behöva gå ner i processgeometri.
Processen är resultatet av flera års samarbete mellan Sceptre och Rysslands institut för mikroelektronik. Tekniken kallas RIB, Running Ion Beam. Kiselskivorna dopas i intervall mellan 20 och 100 nm, vilket skapar vågstrukturer som enligt företaget utgör masker i nanostorlek för "molekylär självorientering". Den periodiska dopningen sägs öka rörligheten av laddningar i transistorn, vilket resulterar i högre arbetsfrekvens.Processen kan integreras i vanlig CMOS-tillverkning, och företaget har utrustning framme som kan hantera 36 till 38 kiselskivor per timme. I sommar ska den första kundutvärderingen göras.
Metoden pekas ut som ett alternativ till sträckt kisel (strained silicon), en teknik som går ut på att dra isär ett kisellager så att det matchar ett underliggande lager av kiselgermanium, vilket ökar elektronernas genomströmning. Teknik fick stor uppmärksamhet då IBM proklamerade en satsning på området. Sedan dess har ett annat walesiskt företag, IQE, meddelat att man tänker bli världens första kommersiella tillverkare av sträckt kisel. IQE och Sceptre har dock inget mer än nationaliteten gemensam.
Adam Edström
