JavaScript is currently disabled.Please enable it for a better experience of Jumi. FeRAM brottas med kapaciteten

Ferroelektriska minnen, FeRAM, har funnit på marknaden i minst tio år.Runt 15 företag är verksamma på området, däribland Samsung, Texas Instruments, NEC, Sony, Infineon och Ramtron.
Teknikens styrka är att läsning såväl som skrivning går snabbt samtidigt som effektförbrukningen är låg. Bättre än flash alltså. Samtidigt är ferroelektriska minnen ickeflyktiga; de behåller liksom flash sitt data även utan ström. Minnescellens innehåll förstörs emellertid vid läsning, vilket gör att data måste skrivas tillbaks efter varje läsoperation. Minnet tål 1012 skrivningar.

Akilleshälen är att minneskapaciteten fortfarande är låg; FeRAM-veteranen Ramtrons största kommersiella krets har exempelvis inte mer än 256 kbit.

En orsak är att minnescellen hittills varit förhållandevis stor. I år har ett antal företag dock lyckats ta det viktiga steget från en minnescell med två transistorer och två kondensatorer (2T2C) till en transistor och en kondensator (1T1C). Samsung har exempelvis presenterat en 32 Mbit-krets av 1T1C-typ, även om det rör sig om ett forskningsprojekt.

Minnestekniken har även fått ett erkännande från ITRS - The International Technology Roadmap for Semiconductors. I deras senaste årsrapport fick FeRAM för första gången vara med.

Kärnan i ett FeRAM är en liten ferroelektrisk kristall som integrerats i minnescellen. När kristallen utsätts för ett elektriskt fält så flyttar kristallens mittenatom till en position som motsvarar 1 eller 0. Atomen stannar kvar även när fältet tas bort.

Charlotta von Schultz

Prenumerera på Elektroniktidningens nyhetsbrev eller på vårt magasin.


MER LÄSNING:
 
KOMMENTARER
Kommentarer via Disqus

Rainer Raitasuo

Rainer
Raitasuo

+46(0)734-171099 rainer@etn.se
(sälj och marknads­föring)
Per Henricsson

Per
Henricsson
+46(0)734-171303 per@etn.se
(redaktion)

Jan Tångring

Jan
Tångring
+46(0)734-171309 jan@etn.se
(redaktion)