Enligt planerna kommer kapslade kiselkarbidkomponenter att finnas tillgängliga för systemutvärdering i början av nästa år. Möjliga tillämpningar är DC-DC omvandlare, batteriladdare och solcellsanläggningar. Tekniken kan i framtiden även komma att möjliggöra robust kraftelektronik för användning vid höga temperaturer i fordon.
Avtalet med Denso är resultatet av ett gemensamt forskningsarbete under fem år kring materialteknologi för kiselkarbid. Den nya överenskommelsen inkluderar överföring av Densos JFET-teknik till Acreo och stöds av Vinnova och Invest in Sweden Agency (ISA), Japan.
Den första komponenten som ska tas fram är en krafttransistor för användning vid 1200 V och med en märkström upp till 50 A. Transistorn är en spänningsstyrd brytare av typen JFET (Junction Field Effect Transistor). Konstruktionen, som bygger på epitaxiell odling av kiselkarbid, gör att komponenten fungerar i så kallad ”normally-off” mod vilket förenklar konstruktionen av styrkretsar.
Denso utvecklar teknik för tillverkning av högkvalitativa kiselkarbidsubstrat, transistorer och kraftmoduler sedan mer än tio år. JFET-konceptet har konstruerats och testats framgångsrikt av Denso för strömmar över 50 A.
Acreo har mer än 15 års erfarenhet av att utveckla teknik för epitaxiell odling av kiselkarbid och bidrar med denna kunskap i samarbetsprojektet. Processteknologin för JFET kommer att implementeras i Acreos processlina vid Electrumlaboratoriet i Kista, och tillverkningen av komponenter startar senare i höst.