Nu har HP skrivit ett avtal med Hynix som innebär att de två gemensamt ska utveckla nya material och processtekniker som kan ta minnestekniken – döpt till ReRAM (Resistive Random Access Memory) – från labbet till marknaden. Målet är att de första minnena ska släppas som kommersiella produkter år 2013.
Både Hynix och Hewlett-Packard räknar med att memristorn på sikt ska ersätta dagens flashminne. Likaså ska det kunna agera som ett universellt lagringsmedium och då även fungera som ett DRAM eller en hårddisk. Samtidigt ska man vara medveten om att det finns flera andra minnestekniker, exempelvis magnetiska minnen (MRAM), fasväxlande minnen (PCM) och ferroelektriska minnen (FeRAM), som kämpar om en bit av minneskakan.
– Men memristorn har en lagringskapacitet som är många gånger större än vad konkurrerande tekniker erbjuder, säger Dr. S.W. Park, vd och teknikchef på Hynix, i ett pressmeddelande.
Att memristorn kan bli en viktig pusselbit i framtiden för systemtillverkare som Ericsson, slog också Mats Karlsson fast i sitt anförande på elektronikmässan S.E.E. i Älvsjö i våras.
Mats Karlsson arbetar med effektiv teknik- och produktutveckling på Ericsson, direkt under CTO Håkan Eriksson, och han menade att minnet är och kommer att vara en flaskhals för Ericsson med den allt större datamängden som ska hanteras. Minnestillverkarnas utveckling är därför på Ericssons bevakningslista.
– HP:s memristorteknik är intressant. Den kan förmodligen öka packningsgraden, men idag finns det ingen minneslösning som kan ersätta DRAM och flash, konstaterade Mats Karlsson under sitt tal (se länk).