About / Advertise
Flaskhalsar vidgas med 3D-design
Minnesgiganterna Samsung och Micron har utvecklat en minnesdesign som påstås kunna skapa ett dataflöde mellan minne och processorkärna som är 15 gångar snabbare än idag. Nu ska en gränssnittsspecifikation tas fram av en arbetsgrupp där Altera, Open Silicon och Xilix ingår. – Termen minnesmur har använts för att beskriva problemet. Det krävs en ny minnesarkitektur som erbjuder högre densitet och högre bandbredd vid lägre effektförbrukning för att man ska kunna slå sig igenom minnesmuren, säger de två företagen.
Det två minnestillverkarna har därför gemensamt utvecklat en tredimensionell minneskonstruktion, kallad Hybrid Memory Cube (HMC). Den byggs upp av olika lager, där logiken utgör botten och minneschipen ligger staplade ovanpå. De olika lagren är sedan sammankopplade via anslutningar som går igenom dem, så kallade through silicon via (TVS).
Enligt Samsung och Micron kan deras 3D-konstruktionen skyffla data upp till 15 gånger snabbare mellan minne och processor än dagens alternativ. Den drar dessutom upp till 70 procent mindre energi per bit än dagens DDR3 och tar nästan 90 procent mindre plats än motsvarande RDIMM.
För att få genomslag för arkitekturen har Samsung och Micron skapat en industrigrupp – Hybrid Memory Cube Consortium (länk) – vars mål är att snabbast möjligt föra ut tekniken på marknaden.
I nuläget består industrigruppen av Altera, Open Silicon och Xilix, förutom Samsung och Micron, men den är öppen för andra som vill vara med och påverka. Tanken är att företagen gemensamt ska definiera en specifikation som gör att tekniken fungerar att användas i en mängd tillämpningar som kräver hög minnesbandbredd. Målet är att specifikationen ska vara klar under nästa år.
