About / Advertise
Minnestillverkaren SK Hynix – i fjol rankad som världens tredje största halvledartillverkare – har lanserat vad företaget hävdar är världens första så kallade 4D NAND-flash som lagrar tre bitar per cell. Minnestekniken ger högre densitet, men skriver och läser också snabbare än företagets tidigare 3D-minne. Först ut är ett chip i 96 lager som lagrar 512 Gbit.
SK Hynix påstår sig vara först i världen att kombinera 3D CTF-teknik med PUC-teknik, där CTF står för Charge Trap Flash och kan liknas vid laddningsfångst medan PUC är kort för Periphery Under Cell.
PUC innebär att chipets logik placeras direkt under flashcellen. Andra minnesföretag gör motsvarande, men kallar det något annat. Micron kallar det exempelvis CMOS Under the Array (CUA), medan Samsung kallar det Core Over Periphery (COP).
Kombinationen 3D CTF och PUC ligger bakom att företaget menar att minnet har en 4D-struktur.
Det nya chipet kan alltså lagra 64 Gbyte, och planen är att det ska ta steget mot volym redan innan årsskiftet. Jämfört med SK Hynix 3D NAND med samma lagringskapacitet är 4D-chipet 30 procent mindre.
Samtidigt skriver det 30 procent snabbare och har 25 procent bättre läsprestanda. Tack vare en ny gate-arkitektur, kallad multiple gate insulator, kan minnet skyffla data i 1200 Mbps vid 1,2 V.
