JavaScript is currently disabled.Please enable it for a better experience of Jumi. NXP och Hitachi i SiC-samarbete

Nederländska NXP och schweiziska Hitachi Energy drar igång ett samarbete som snabbare ska bana väg för kiselkarbid inom så kallade e-mobilitet. Tillsammans ska företagen erbjuda effektiva, tillförlitliga och funktionellt säkra lösningar för drivlinans växelriktare.

MOSFET:ar i kiselkarbid är på väg att byta plats med traditionella IGBT:er i kisel i drivlinan i elektrifierade fordon. Den enkla anledningen till detta är att de gör det möjligt för tillverkare av elfordon att öka räckvidden och den totala effektiviteten hos sina system.

Nu vill NXP och Hitachi Energy vara med och erbjuda ett gemensamt alternativ inom detta område.  

Lösningen består av NXP:s gatedrivare GD3160 och Hitachi Energys kraftmodul för fordonstillämpningar kallad RoadPak. Kraftmodulen är baserad på 1200 V MOSFET:ar i SiC och finns tillgänglig i tre versioner som levererar 580A, 780A eller 980A. Drivaren kan hantera MOSFET:ar (SiC) upp till 1700 V.

Genom att optimera drivaren för SiC-modulen kommer tiden från att utvärdera en lösning till att ta fram en optimal dito att gå mycket snabbare, menar företagen.

Hitachi Energy hette fram till för knappt ett halvår sedan Hitachi ABB Power Grids. Det är ett joint venture-bolag där japanska Hitachi äger 80,1 procent och ABB äger återstående del. Huvudkontoret ligger i Zürich, Schweiz.

MER LÄSNING:
 
KOMMENTARER
Kommentarer via Disqus

Anne-Charlotte Lantz

Anne-Charlotte
Lantz

+46(0)734-171099 ac@etn.se
(sälj och marknads­föring)
Per Henricsson

Per
Henricsson
+46(0)734-171303 per@etn.se
(redaktion)

Jan Tångring

Jan
Tångring
+46(0)734-171309 jan@etn.se
(redaktion)