JavaScript is currently disabled.Please enable it for a better experience of Jumi. En halv volt räcker för integrerade kretsar

Ny substratteknik gör det möjligt att minska matningsspänningen till 0,5 V.

Forskare vid Toshibas ULSI Research Laboratories i Japan har utvecklat en teknologi som gör det möjligt att konstruera integrerade kretsar som matas med endast 0,5 volt. Därmed kan man få ner effektförbrukningen till en hundradel jämfört med 5-voltskretsar, eftersom effektförbrukningen beror kvadratiskt på matningsspänningen.

Nyckeln till teknologin är en ny substratteknik som gör det möjligt att kontrollera tröskelspänningen, det vill säga den spänning som gör att transistorn är på i stället för av, separat för varje transistor. Dagens teknologier definierar en och samma tröskelspänning för samtliga transistorer på ett substrat.

Genom att använda kisel-på-isolator-teknik har man lyckats isolera transistorerna i kretsarna från varandra och kan då styra varje transistors tröskelspänning för sig. På så vis kan forskarna kontrollera att tröskelspänningen är under 0,2 volt när transistorn är på och 0,5 volt när transistorn är av.

Tekniken är utvecklad för kretsar med något tiotusental transistorer per chips.

Mikael Zackrisson

Prenumerera på Elektroniktidningens nyhetsbrev eller på vårt magasin.


MER LÄSNING:
 
KOMMENTARER
Kommentarer via Disqus

Rainer Raitasuo

Rainer
Raitasuo

+46(0)734-171099 rainer@etn.se
(sälj och marknads­föring)
Per Henricsson

Per
Henricsson
+46(0)734-171303 per@etn.se
(redaktion)

Jan Tångring

Jan
Tångring
+46(0)734-171309 jan@etn.se
(redaktion)