JavaScript is currently disabled.Please enable it for a better experience of Jumi. Flashminne utnyttjar en transistor

En flashminnesteknik som erbjuder ett kostnadseffektivt alternativ till seriella EEPROM-kretsar har utvecklats av amerikanska NexFlash Technologies. Tekniken utnyttjar en enda transistor för lagring och åtkomst av data.

Traditionell EEPROM-teknik utnyttjar två transistorer, där en fungerar som lagringscell och en som en valgrind. NexFlash utnyttjar dock en egenutvecklad och patenterad teknik som gör att valtransistorn inte behövs. Därmed får mer minne plats på ett givet utrymme. Flashminnen av Nand-typ är visserligen ännu tätare, men enligt NexFlash är minnesåtkomsten i dessa inte lika direkt. Företaget utnyttjar inledningsvis utrymmesbesparingen i seriella flashminnen.

Företaget har seriella minnen med densiteter upp till 64 Mbit, som erbjuds dels som standardkretsar, dels för kundanpassning. NexFlash har dessutom licenserat ut sin flashteknik till ett flertal kretstillverkare, däribland CSM, UMC, AKM och Oki.

Gittan Cederval

Prenumerera på Elektroniktidningens nyhetsbrev eller på vårt magasin.


MER LÄSNING:
 
KOMMENTARER
Kommentarer via Disqus

Rainer Raitasuo

Rainer
Raitasuo

+46(0)734-171099 rainer@etn.se
(sälj och marknads­föring)
Per Henricsson

Per
Henricsson
+46(0)734-171303 per@etn.se
(redaktion)

Jan Tångring

Jan
Tångring
+46(0)734-171309 jan@etn.se
(redaktion)