JavaScript is currently disabled.Please enable it for a better experience of Jumi. X-Fab lanserar GaN-process i Dresden

Specialfoundryt X-Fab breddar sitt erbjudande med en egenutvecklad process för kraftkomponenter i galliumnitrid. Processen körs i en åttatumslina på kiselwafers i tyska Dresden.

Fabriken har ett antal specialprocesser för bland annat analoga kretsar och är fordonskvalificerad.

Maskinerna har optimerats för att hantera de tjockare skivor som behövs för en GaN-på-kiselprocess.

Transistorerna är av typen dMode HEMT vilket innebär att de är planära och normalt leder. Spänningsområdet är 100 till 650 V.

Det finns också transistorer som normalt inte leder, eMode och Schottkydioder.

X-Fab har tagit fram ett PDK, gränssnittet mellan företagets tillverkningsprocess och konstruktörens EDA-verktyg. Från och med kvartal fyra kommer X-Fab att erbjuda tillverkningsrundor där flera kunder delar på samma skiva, så kallade skyttlar.

Intressant att notera är att TSMC i somras meddelade att företaget slutar erbjuda tillverkning för GaN-på-kisel och stänger den aktuella fabriken om två år för att bygga om den till en fabrik för avancerad kapsling.

Prenumerera på Elektroniktidningens nyhetsbrev eller på vårt magasin.


MER LÄSNING:
 
KOMMENTARER
Kommentarer via Disqus

Rainer Raitasuo

Rainer
Raitasuo

+46(0)734-171099 rainer@etn.se
(sälj och marknads­föring)
Per Henricsson

Per
Henricsson
+46(0)734-171303 per@etn.se
(redaktion)

Jan Tångring

Jan
Tångring
+46(0)734-171309 jan@etn.se
(redaktion)