JavaScript is currently disabled.Please enable it for a better experience of Jumi. Infineon och Rohm i samarbete om SiC-kapslar

Genom att använda samma kapslar ska det bli enklare för kunderna att byta vissa kiselkarbidtransistorer från Infineon mot motsvarande produkter från japanska Rohm. Och vice versa.

Företagen har tecknat ett avtal om utveckling av kapsling för kiselkarbidtransistorer till produkter som ombordladdare till bilar, solcellsinvertrar och batterilager och AI-tillämpningar. Genom samarbetet ska kunderna få ökad leveranssäkerhet genom att de kan köpa av både Infineon och Rohm utan att designa om sina produkter.

Rohm kommer att använda Infineons teknik för kylning från ovansidan, top-side cooling, inklusive kapslingarna TOLT, D-DPAK, Q-DPAK, Q-DPAK dual och H-DPAK med en bygghöjd på 2,3 mm.

Samtidigt börjar Infineon använda en kapsling från Rohm kallad DOT-247 för halvbryggor. DOT-247 använder två integrerade TO-247-kapslingar och ger 15 procent lägre termiskt motstånd och 50 procent lägre induktans jämfört med standard-TO-247. Resultatet blir upp till 2,3 gånger högre effekttäthet samt minskad monteringsinsats.

Framöver kommer fler gemensamma kapslingar för kisel, SiC och GaN.

Prenumerera på Elektroniktidningens nyhetsbrev eller på vårt magasin.


MER LÄSNING:
 
KOMMENTARER
Kommentarer via Disqus

Rainer Raitasuo

Rainer
Raitasuo

+46(0)734-171099 rainer@etn.se
(sälj och marknads­föring)
Per Henricsson

Per
Henricsson
+46(0)734-171303 per@etn.se
(redaktion)

Jan Tångring

Jan
Tångring
+46(0)734-171309 jan@etn.se
(redaktion)