About / Advertise
Foundryt TSMC lanserar möjligheten att göra halvledare med geometrier på 28 nm, med produktionsstart i början av år 2010. Processen kommer i två smaker, optimerad för strömsnålhet respektive hastighet. Den strömsnåla processen är framför allt tänkt för kretsar till basbandskretsar och andra tillämpningar inom trådlöst.
I fredags lanserade det Singaporebaserade foundryt Chartered sina planer på 28 nm-produktion (länk), och idag kontrar TSMC i Taiwan, som är världens största foundry. Från 2010 ska TSMC ha två 28 nm-processer igång, den ena kallad 28LPT - low power technology - och den andra kallad 28HP - high performance.Hos TSMC är 28 nm en så kallad "full nod", vilket innebär att den är helt nykonstruerad. Chartereds 28 nm-process är en "halvnod", en krympt 32 nm-process. TSMC väljer att göra lanseringen nu eftersom man redan har ett antal kunder som jobbar med projekt för dessa processer. Dessutom kommer företaget att dra igång en prototyptjänst, kallad 28 nm Cybershuttle, i slutet av året.
- Inte minst i Europa är intresset för lågeffektprocessen stort, säger Maria Merced på TSMC Europe till Elektroniktidningen.
Skillnaden är stor mellan de båda processvarianterna. Lågeffektprocessen använder kiseloxynitrid, SiON, medan höghastighetsprocessen använder metallgrindar med högt K-värde (HKMG, high-k metal gates). Lågeffektprocessen ska ge kretsar med 30-50 procent lägre strömförbrukning än TSMCs nuvarande 40 nm-process i sin strömsnålaste version. Ändå ska hastigheten blir 50 procent högre. Basbandskretsar, applikationsprocessorer och kretsar för bärbara tillämpningar är vad TSMC siktar på med denna process.
- Processen är designad för låg strömförbrukning i aktivt läge. För bara några år sedan var låg förbrukning i viloläge det viktigaste, men dagens konsumenter vill i allt högre grad ha tillgång till Internet, video, musik, mobil-tv och GPS jämte telefoni och SMS. Då blir strömförbrukningen i aktivt läge en allt viktigare parameter, och det är därför vi valt SiON-teknik där grindkapacitansen och därmed strömförbrukningen i aktivt läge är lägre än för HKMG, kommenterar Maria Merced.
Höghastighetsprocessen är främst tänkt för mikroprocessorer, FPGA:er, grafikprocessorer och andra prestandakrävande halvledare. Med 28 nm geometri kan dubbelt så många transistorer packas in per ytenhet, och datatakten öka med 30 procent jämfört med dagens snabbaste 40 nm-process hos TSMC. Denna prodution kommer igång några månader efter lågeffektprocessen.
Lanseringen följs av ett tillhörande ekosystem med konstruktionsverktyg och IP-block från de stora EDA- och IP-leverantörerna.
I och med lanseringen visar TSMC också att man tänker hoppa över 32 nm-steget för höghastighetskretsar - där menar företaget att kunderna hellre vill gå direkt från 40 till 28 nm. På lågeffektsidan kommer dock "halvnoden" 32 nm att gå i produktion i slutet av 2009.
TSMCs affärer har av flera analytiker utpekats som på väg utför. Men på den punkten vill Maria Merced säga motsatsen. Hon menar att den starka euron och industriomvandlingen från vertikalt till horisontellt orienterade halvledarbolag - illustrat inte minst av samgåendet ST-NXP-EMP - förstärker outsourcingtrenden vilket gynnar TSMC.
- Våra intäkter i år är redan högre än totalt under 2007, och vi tror oss växa med 30 procent i år. Vår andel av foundrymarknaden har ökat från 40 till 48 procent på ett år. Europa står stadigt för 12 procent av intäkterna. Vi växer här också - personalstyrkan i Europa har ökat med 20 procent hittills i år. Vi har numera drygt 40 anställda här, plus ett tjugotal i Taiwan som enbart sysslar med europeiska kunder, säger hon.
