About / Advertise
En minneskrets som är mindre än en DRAM-krets men ändå lika snabb som en SRAM-krets är resultatet av ett samarbete mellan forskare vid Hitachi och vid universitetet i Cambridge i England.
Forskare i brittiska Cambridge tror sig ha uppfunnit ett minne som skulle kunna ersätta DRAM-, flash- och till och med SRAM-kretsar. Minneskretsen är nämligen endast hälften så stor som motsvarande DRAM-krets och går under förkortningen PLEDM, vilket står för Phase-state Low Electron-number Drive Memory.
Ändå är minnet icke-flyktigt och kan fås att fungera lika snabbt som en SRAM- krets. Och enligt en av utvecklarna, David Williams vid Hitachis laboratorium i Cambridge, är det dessutom lättare att tillverka än alternativen.
Forskargruppen har utnyttjat standardprocesser för tillverkningen av PLED- minnet. Men de klarade tillverkningen i tio procent färre steg än vid DRAM- tillverkning. Tack vare likheter med CMOS underlättas integreringen med logik.
Inga kondensatorer
Minnet har dock ytterligare fördelar jämfört med DRAM. Medan DRAM-celler är svåra att skala ned och i dagsläget kräver cirka 5 ¥ 105 elektroner per bit, så kan antalet elektroner per bit minskas till cirka 103 i PLED-strukturen.
Enligt Williams är det en viktig fördel, som gör att kretsarna kan göras snabbare och energisnålare. PLED-minnen behöver därmed heller inga kondensatorer för laddningslagring.
Antalet elektroner per bit minskar också med minskande processgeometrier. För framtida 64 Gbit-minnen kan PLEDM-kretsar utnyttja endast 50 elektroner per bit medan DRAM-kretsar fortfarande kommer att kräva cirka 105 elektroner per bit.
Forskarna räknar med att ha prototypkretsar färdiga inom ett par år och masstillverkning av PLED-minnen planeras till år 2005.
Gittan Cedervall
Rainer Raitasuo +46(0)734-171099 rainer@etn.se (sälj och marknadsföring) 
Per Henricsson +46(0)734-171303 per@etn.se (redaktion) 
Jan Tångring +46(0)734-171309 jan@etn.se (redaktion) |
||||||||||||||||||||||||||||||
