JavaScript is currently disabled.Please enable it for a better experience of Jumi. Ett steg mot den ideala transistorn
Guidelines for contributing Technical Papers: download PDF

Den amerikanska halvledartillverkaren IMP har fått patent på en ny tillverkningsmetod för analoga kretsar där transistorerna får nästan idealiska egenskaper.


Forskarna på IMP har åstadkommit en tröskelspänning nära noll genom en ny metod för jonimplantation. Det speciella med metoden är att den omfattar två steg av jonimplantation som påverkar bara PMOS-transistorn. Med denna dubbla jonimplantation så kommer tröskelspänningen på PMOS-sidan ner till mellan -0,2 V och 0,2 V.



Bildar par


NMOS-transistorerna har redan en mycket låg tröskelspänning. Resultatet är därför ett komplementärt transistorpar. Metoden ska leda till förbättrad prestanda i lågeffektkretsar som används i bärbar batteridriven elektronik.

MOSFET-transistorn är den grundläggande byggstenen i CMOS-kretsar. Den ideala MOSFET-transistorn har länge varit kretstillverkarnas dröm. Den har en tröskelspänning nära noll och switchas med minimal grindspänning.

Susan Kelly



Prenumerera på Elektroniktidningens nyhetsbrev eller på vårt magasin.


MER LÄSNING:
 
KOMMENTARER
Kommentarer via Disqus

Rainer Raitasuo

Rainer
Raitasuo

+46(0)734-171099 rainer@etn.se
(sälj och marknads­föring)
Per Henricsson

Per
Henricsson
+46(0)734-171303 per@etn.se
(redaktion)

Jan Tångring

Jan
Tångring
+46(0)734-171309 jan@etn.se
(redaktion)