JavaScript is currently disabled.Please enable it for a better experience of Jumi. Lucent samarbetar med NEC
Guidelines for contributing Technical Papers: download PDF

Amerikanska Lucent Technologies skall inkludera japanska NEC:s inbyggda DRAM för en 0,25 μm-process i sitt asicbibliotek. Kretsarna kommer att tillverkas av NEC i Japan.


Lucent och NEC presenterar en allians om inbyggda DRAM. Lucent skall para ihop logik och DRAM på en och samma krets med hjälp av NEC:s inbyggda DRAM-bibliotek. NEC står för tillverkningen av dessa kretsar i en 0,25 μm-process för inbyggda DRAM. Drivkraften bakom alliansen är den ökade efterfrågan för systemkretsar där allt fler funktioner integreras på en enda krets.

Fördelen med NEC:s process är att minnesstorleken kan ökas i steg om 1 Mbit, upp till 32 Mbit. Konstruktörer väljer minnestorleken efter behovet, jämfört med asicar som har separat DRAM, där konstruktörer måste använda 16 Mbit stora minnesblock.

Processen med inbyggda DRAM integrerar ett 256 bitars bussgränssnitt för snabb dataöverföring i till exempel grafiktillämpningar. Men bussen kan också fås med 16, 32, 64 och 128 bitars bredd.

Lucent erbjuder redan inbyggt SRAM och flashminne i sina asicar. Inbyggda DRAM gör det möjligt för företaget att konstruera systemkretsar för tillämpningar inom grafik, telekom och konsumentelektronik.

NEC har blandat logik med DRAM sedan 1994 i en 0,35 μm-process. Det är dock först med 0,25 μm-processen som tekniken kommit ner så pass i pris att man erbjudit processen till externa kunder. En 0,18/0,15 μm process är under utveckling.

De första kretsarna designade av Lucent beräknas komma i juni eller juli nästa år.

Susan Kelly

Prenumerera på Elektroniktidningens nyhetsbrev eller på vårt magasin.


MER LÄSNING:
 
KOMMENTARER
Kommentarer via Disqus

Rainer Raitasuo

Rainer
Raitasuo

+46(0)734-171099 rainer@etn.se
(sälj och marknads­föring)
Per Henricsson

Per
Henricsson
+46(0)734-171303 per@etn.se
(redaktion)

Jan Tångring

Jan
Tångring
+46(0)734-171309 jan@etn.se
(redaktion)