About / Advertise
Flashminnestillverkaren Intel siktar på att lagra fyra bitar i varje minnescell. Tekniken är ekonomiskt lockande för användarna, men samtidigt en teknisk utmaning av stora mått.
För några år sedan räckte det med 8 Mbit flashminne i mobilen. I dag innehåller en japansk i-mode-telefon i genomsnitt fem gånger så mycket flashminne. Och inom några år kommer en mobiltelefon att använda uppåt 100 Mbit, spår Intel.
Men större minne innebär mer kisel och högre priser, något som går stick i stäv med mobiltelefontillverkarnas önskan. Därför tittar nu Intel, som är världens största flashminnestillverkare, på att göra än kompaktare flashminnen. Tanken är att försöka lagra fyra bitar per minnescell framöver, istället för en eller två bitar per cell som idag. En sådan lösning tros kunna minska minnespriset till hälften, jämfört med en enbitslösning.
- Men den tekniska utmaningen är inte trivial speciellt när man går ner i spänning till 1,8 V, säger Christer Pellfolk, på Intels svenska kontor.
För att kunna lagra fyra bitar krävs det att man kan dela upp 1,8 V i hela sexton olika spänningsnivåer. Tricket är att utveckla ett sätt att än mer noggrant än idag ladda transistorn i minnescellen.
- Först kommer vi förmodligen att testa tekniken i vår 0,18 µm-process, medan volymproduktionen kommer att ske i en 0,13 µm-process, säger Christer Pellfolk.
Anledningen till att prisskillnaden per bit mellan ett enbitsminne och ett fyrabitsminne enbart förväntas vara en faktor två är att det senare kräver betydligt mer kringlogik. Framförallt krävs en mängd komparatorer för att kunna styra spänningsnivåerna. Ytterligare en kompromiss man tvingas till vid flerbitslagring är att accesstiden hos minnet ökar.
Intels plan är att introducera flashminnen som lagrar 4 bitar per minnescell under år 2003 eller 2004.
Men större minne innebär mer kisel och högre priser, något som går stick i stäv med mobiltelefontillverkarnas önskan. Därför tittar nu Intel, som är världens största flashminnestillverkare, på att göra än kompaktare flashminnen. Tanken är att försöka lagra fyra bitar per minnescell framöver, istället för en eller två bitar per cell som idag. En sådan lösning tros kunna minska minnespriset till hälften, jämfört med en enbitslösning.
- Men den tekniska utmaningen är inte trivial speciellt när man går ner i spänning till 1,8 V, säger Christer Pellfolk, på Intels svenska kontor.
För att kunna lagra fyra bitar krävs det att man kan dela upp 1,8 V i hela sexton olika spänningsnivåer. Tricket är att utveckla ett sätt att än mer noggrant än idag ladda transistorn i minnescellen.
- Först kommer vi förmodligen att testa tekniken i vår 0,18 µm-process, medan volymproduktionen kommer att ske i en 0,13 µm-process, säger Christer Pellfolk.
Anledningen till att prisskillnaden per bit mellan ett enbitsminne och ett fyrabitsminne enbart förväntas vara en faktor två är att det senare kräver betydligt mer kringlogik. Framförallt krävs en mängd komparatorer för att kunna styra spänningsnivåerna. Ytterligare en kompromiss man tvingas till vid flerbitslagring är att accesstiden hos minnet ökar.
Intels plan är att introducera flashminnen som lagrar 4 bitar per minnescell under år 2003 eller 2004.
Anna Wennberg
