About / Advertise
Transistorer på 20 nm, enelektronminnen och en mer handfast prototyp för en 4 Gbit DRAM-krets. Det är några av de framtidslöften som presenterades på förra veckans kretsteknikkonferenser i Kyoto i Japan.
Intels 20 nm transistorer väckte stor uppmärksamhet då de demonstrerades på halvledarkonferensen "Silicon Nanoelectronics Workshop" i Kyoto den 11 juni. Transistorerna är närmare tusen gånger snabbare än de som utnyttjas i dagens processorer. Och med dessa planerar Intel att bygga mikroprocessorer med en miljard transistorer, med hastigheter som närmar sig 20 GHz och som drar mindre än en volt. år 2007, ungefär, räknar företaget med att ha sådana kretsar framme.
Enligt Intel blir det alltså möjligt att följa Moores lag under åtminstone ytterligare tre generationer. Transistorerna är 30 procent mindre och 25 procent snabbare än dagens snabbaste transistorer. Grindoxidlagret i transistorerna är endast tre atomer tjockt.
Nya material
än så länge har man utnyttjat samma fysiska struktur och material som i dagens kretsar. Intel planerar dock att börja utnyttja en ny typ av grindoxidmaterial innan dessa transistorer är redo för tillverkning.
På samma konferens rapporterade även flera forskargrupper om sina framsteg inom utvecklingen av enelektrontransistorer och enelektronminnen. Vid Hitachis labb i Cambridge i England studerar man exempelvis möjligheten att göra minnen som utnyttjar färre elektroner per bit än dagens minnen. Tillsammans med forskare vid Cambridge University har man byggt minnesstrukturer som endast utnyttjar mellan en och tio elektroner per bit. I dagens DRAM-kretsar går det åt ungefär en halv miljon elektroner per bit.
Tre gånger tre minnesceller för enstaka elektroner har satts samman till en fungerande minneskrets.
Minnescellerna är baserade på Coulumb-block och skapas med hjälp av kraftigt dopade kiseltrådar i nanometerskala. Cambridge-gruppen försöker nu att avgöra om tekniken kan utnyttjas kommersiellt.
Det lär dock dröja innan enelektronminnen finns på marknaden. Däremot visade Samsung en prototyp för en 4 Gbit DRAM-krets på den anslutande VLSI-konferensen
i Kyoto. Provexemplar av denna kommer att finnas tillgängliga redan under 2004.
Enligt Intel blir det alltså möjligt att följa Moores lag under åtminstone ytterligare tre generationer. Transistorerna är 30 procent mindre och 25 procent snabbare än dagens snabbaste transistorer. Grindoxidlagret i transistorerna är endast tre atomer tjockt.
Nya material
än så länge har man utnyttjat samma fysiska struktur och material som i dagens kretsar. Intel planerar dock att börja utnyttja en ny typ av grindoxidmaterial innan dessa transistorer är redo för tillverkning.
På samma konferens rapporterade även flera forskargrupper om sina framsteg inom utvecklingen av enelektrontransistorer och enelektronminnen. Vid Hitachis labb i Cambridge i England studerar man exempelvis möjligheten att göra minnen som utnyttjar färre elektroner per bit än dagens minnen. Tillsammans med forskare vid Cambridge University har man byggt minnesstrukturer som endast utnyttjar mellan en och tio elektroner per bit. I dagens DRAM-kretsar går det åt ungefär en halv miljon elektroner per bit.
Tre gånger tre minnesceller för enstaka elektroner har satts samman till en fungerande minneskrets.
Minnescellerna är baserade på Coulumb-block och skapas med hjälp av kraftigt dopade kiseltrådar i nanometerskala. Cambridge-gruppen försöker nu att avgöra om tekniken kan utnyttjas kommersiellt.
Det lär dock dröja innan enelektronminnen finns på marknaden. Däremot visade Samsung en prototyp för en 4 Gbit DRAM-krets på den anslutande VLSI-konferensen
i Kyoto. Provexemplar av denna kommer att finnas tillgängliga redan under 2004.
Gittan Cedervall
