About / Advertise
Fujitsu släpper snabbt minne och kapsel med tre chips
Fujitsu Microelectronics lanserar en ny variant av sitt FCRAM-minne som rymmer 256 Mbit och passar bra för bandbreddskrävande nätverkssystem. Företaget bakar dessutom in FCRAM, flash och SRAM i en flerkretskapsel för mobiltelefoner.
Fujitsu Microelectronics lanserar en ny variant av sitt FCRAM-minne som rymmer 256 Mbit och passar bra för bandbreddskrävande nätverkssystem. Företaget bakar dessutom in FCRAM, flash och SRAM i en flerkretskapsel för mobiltelefoner.
Fujitsu Microelectronics nya version av sitt läs- och skrivminne av fast cycle-modell, FCRAM, rymmer hela 256 Mbit. Minnet har ett DDR SDRAM-gränssnitt och är anpassat för hög hastighet och bandbredd tillsammans med kort fördröjningstid och minimal cykeltid.
Minnesvarianten, som utvecklats tillsammans med Toshiba, är anpassat för 2,5 V och indelat i en A-serie och en B-serie med klockhastigheterna 154 MHz respektive 200 MHz. A-serien har en cykeltid på 30 till 40 ns och en åtkomsttid på 22,5 ns, medan B-serien har en cykeltid på 25 till 40 ns och en åtkomsttid på 22 ns. Båda serierna har SSTL-II IO-gränssnitt.
Minnena kommer kapslade i en TSOP med 66 ben. A-serien finns i provexemplar idag, medan exemplar av B-serien kommer att släppas senare i år.
Fujitsu har även tagit fram en flerkretskapsel som kombinerar tre olika minnessorter. Ovanpå varandra staplas 64 Mbit NOR-baserat flashminne, 16 Mbit FCRAM med asynkront SRAM-liknande gränssnitt samt 4 Mbit SRAM.
Sparar 30 procent av ytan
Flashminnet är till för program och datalagring medan FCRAM används som arbetsminne. SRAM-cellerna har sin tur till uppgift att fungera som ett buffrande cacheminne när man exempelvis laddar ner data eller när produkter befinner sig i viloläge. Minneskombinationen är speciellt framtagen för behoven av snabb dataöverföring och ökad minneskapacitet inom mobiltelefonin.
Flerkretskapseln arbetar med en matningsspänning mellan 2,7 och 3,1 V. I viloläge har flashminnet en strömförbrukning på 5 µA. FCRAM och SRAM drar som mest 70 respektive 7 µA.
åtkomsttiden för flashminnet är 80 ns, medan FCAM- och SRAM-varianter har en läsrelaterad åtkomsttid på 90 ns respektive 85 ns.
Genom att stapla minnena på varandra upptar kapseln 30 procent mindre kretskortsyta än tidigare lösningar med motsvarande minneskapacitet. Kapseln är en BGA-kapsel med 85 lödkulor och har storleken 10,4 x 10,8 x 1,3 mm.
Flerkretskapseln som begåvats med namnet MB84VR5E3J1A finns i provexemplar idag. Volymproduktionen tar fart under årets sista kvartal.
Minnesvarianten, som utvecklats tillsammans med Toshiba, är anpassat för 2,5 V och indelat i en A-serie och en B-serie med klockhastigheterna 154 MHz respektive 200 MHz. A-serien har en cykeltid på 30 till 40 ns och en åtkomsttid på 22,5 ns, medan B-serien har en cykeltid på 25 till 40 ns och en åtkomsttid på 22 ns. Båda serierna har SSTL-II IO-gränssnitt.
Minnena kommer kapslade i en TSOP med 66 ben. A-serien finns i provexemplar idag, medan exemplar av B-serien kommer att släppas senare i år.
Fujitsu har även tagit fram en flerkretskapsel som kombinerar tre olika minnessorter. Ovanpå varandra staplas 64 Mbit NOR-baserat flashminne, 16 Mbit FCRAM med asynkront SRAM-liknande gränssnitt samt 4 Mbit SRAM.
Sparar 30 procent av ytan
Flashminnet är till för program och datalagring medan FCRAM används som arbetsminne. SRAM-cellerna har sin tur till uppgift att fungera som ett buffrande cacheminne när man exempelvis laddar ner data eller när produkter befinner sig i viloläge. Minneskombinationen är speciellt framtagen för behoven av snabb dataöverföring och ökad minneskapacitet inom mobiltelefonin.
Flerkretskapseln arbetar med en matningsspänning mellan 2,7 och 3,1 V. I viloläge har flashminnet en strömförbrukning på 5 µA. FCRAM och SRAM drar som mest 70 respektive 7 µA.
åtkomsttiden för flashminnet är 80 ns, medan FCAM- och SRAM-varianter har en läsrelaterad åtkomsttid på 90 ns respektive 85 ns.
Genom att stapla minnena på varandra upptar kapseln 30 procent mindre kretskortsyta än tidigare lösningar med motsvarande minneskapacitet. Kapseln är en BGA-kapsel med 85 lödkulor och har storleken 10,4 x 10,8 x 1,3 mm.
Flerkretskapseln som begåvats med namnet MB84VR5E3J1A finns i provexemplar idag. Volymproduktionen tar fart under årets sista kvartal.
Lisa Ringström
