About / Advertise
Intel har uppdragit åt Azalea Microelectronics, en flashminnestillverkare i Kalifornien, att tillverka de första testexemplaren av ovonic unified memory-kretsar.
OUM är en teknik som Intel överväger att använda både i situationer där man idag har flashminnen och som ersättare för SRAM och DRAM.
Jämfört med flash har OUM två fördelar: det är snabbare och varje bit kan adresseras direkt. Jämfört med DRAM är OUM långsammare, men ändå tillräckligt snabbt för att kunna användas för programkod i många sammanhang. Dessutom stannar data kvar även om strömmen försvinner.
Den första kretsen ska tillverkas i 0,18 µm och lagra 4 Mbit, enligt en artikel i EE Times. Intel väntas presentera mer detaljer och sina framtida planer för OUM i februari nästa år.
Grundtekniken har varit känd i över 30 år, men det har tagit tid för materialfysikerna att lära sig framställa tillräckligt rena material för halvledartillämpningar.
Resistansen utnyttjas
Idén bakom OUM är att utnyttja resistansen hos ett elektriskt ledande, glaslikt ämne för att lagra information. Det är inte så exotiskt som det låter, precis samma teknik används i återskrivbara cd- och dvd-skivor, men nu gäller det att skala ner den till mikrometernivå.
Den glasliknande legeringen kan växla mellan en kristallstruktur, som leder ström, och en amorf struktur, som isolerar, genom att man hettar upp den. De två tillstånden får då representera logisk '1' respektive '0'. Växlingen går snabbt, omkring 10 ns, och den kan upprepas väldigt många gånger (1012 eller 1013 gånger - bägge siffrorna har nämnts) utan att materialet förlorar sina egenskaper. Vanligt flashminne klarar som jämförelse omkring 100 000 skrivningar innan det är utslitet.
Jämfört med flash har OUM två fördelar: det är snabbare och varje bit kan adresseras direkt. Jämfört med DRAM är OUM långsammare, men ändå tillräckligt snabbt för att kunna användas för programkod i många sammanhang. Dessutom stannar data kvar även om strömmen försvinner.
Den första kretsen ska tillverkas i 0,18 µm och lagra 4 Mbit, enligt en artikel i EE Times. Intel väntas presentera mer detaljer och sina framtida planer för OUM i februari nästa år.
Grundtekniken har varit känd i över 30 år, men det har tagit tid för materialfysikerna att lära sig framställa tillräckligt rena material för halvledartillämpningar.
Resistansen utnyttjas
Idén bakom OUM är att utnyttja resistansen hos ett elektriskt ledande, glaslikt ämne för att lagra information. Det är inte så exotiskt som det låter, precis samma teknik används i återskrivbara cd- och dvd-skivor, men nu gäller det att skala ner den till mikrometernivå.
Den glasliknande legeringen kan växla mellan en kristallstruktur, som leder ström, och en amorf struktur, som isolerar, genom att man hettar upp den. De två tillstånden får då representera logisk '1' respektive '0'. Växlingen går snabbt, omkring 10 ns, och den kan upprepas väldigt många gånger (1012 eller 1013 gånger - bägge siffrorna har nämnts) utan att materialet förlorar sina egenskaper. Vanligt flashminne klarar som jämförelse omkring 100 000 skrivningar innan det är utslitet.
Lennart Pettersson
