About / Advertise
Intel har med hjälp av ett isolerande oxidskikt och ett nytt dielektrikum tagit fram en transistor som läcker minimalt med ström. Den ska kunna arbeta tio gånger så fort som dagens transistorer utan att förbruka mer energi.
- Den största utmaningen som industrin står inför idag är att lösa problemen med den ökade strömförbrukningen och värmeutvecklingen i kretsarna, säger Gerald Marcyk, chef för kretsforskningen på Intel Labs.
Han anser att dagens transistorer inte har möjlighet att krympa tillräckligt mycket i storlek utan att strömläckaget blir för stort och energiförbrukningen når orimliga höjder.
Intel har därför satsat på att ta fram terahertztransistorn, där energiförbrukningen minimeras och värmeutvecklingen begränsas bland annat genom att läckströmmarna stryps och drivspänningen sänks.
- Målet är att de nya transistorerna ska vara tio gånger snabbare än de vi använder idag, utan att förbruka mer energi, säger Gerald Marcyk.
Tre skiljepunkter
I stora drag skiljer sig den nya transistorn på tre olika punkter jämfört med dagens konstruktion. Den största energislukaren är strömläckaget genom gatens isolerande dielektrikum.
Den nya transistorn har därför ett nytt gate-dielektrikum med betydligt högre k-värde och släpper inte igenom lika mycket ström jämfört med kiseldioxid som används idag. Med det nya materialet ska läckaget genom gaten bli tiotusen gånger mindre jämfört med dagens nivåer.
Dessutom har man lagt in ett isolerande oxidlager under transistorn, vilket hindrar att det läcker ström mellan source och drain när transistorn är i frånläge. Ju mindre transistorerna blir, desto större är risken att det uppstår läckströmmar.
Genom att göra source- och drain-delarna tjockare förväntas man dessutom kunna minska resistansen i transistorn med 30 procent. Därmed blir elektronerna rörligare och kan drivas med lägre spänning och kräver mindre energi.
Terahertztransistorn är fortfarande under utveckling. Intel bedömer att man kommer att tillverka de första produkterna med den nya transistorn år 2005.
Han anser att dagens transistorer inte har möjlighet att krympa tillräckligt mycket i storlek utan att strömläckaget blir för stort och energiförbrukningen når orimliga höjder.
Intel har därför satsat på att ta fram terahertztransistorn, där energiförbrukningen minimeras och värmeutvecklingen begränsas bland annat genom att läckströmmarna stryps och drivspänningen sänks.
- Målet är att de nya transistorerna ska vara tio gånger snabbare än de vi använder idag, utan att förbruka mer energi, säger Gerald Marcyk.
Tre skiljepunkter
 |
| Med hjälp av ett isolerande skikt och ett nytt dielektrikum ska Intels nya transistor spara ström. |
I stora drag skiljer sig den nya transistorn på tre olika punkter jämfört med dagens konstruktion. Den största energislukaren är strömläckaget genom gatens isolerande dielektrikum.
Den nya transistorn har därför ett nytt gate-dielektrikum med betydligt högre k-värde och släpper inte igenom lika mycket ström jämfört med kiseldioxid som används idag. Med det nya materialet ska läckaget genom gaten bli tiotusen gånger mindre jämfört med dagens nivåer.
Dessutom har man lagt in ett isolerande oxidlager under transistorn, vilket hindrar att det läcker ström mellan source och drain när transistorn är i frånläge. Ju mindre transistorerna blir, desto större är risken att det uppstår läckströmmar.
Genom att göra source- och drain-delarna tjockare förväntas man dessutom kunna minska resistansen i transistorn med 30 procent. Därmed blir elektronerna rörligare och kan drivas med lägre spänning och kräver mindre energi.
Terahertztransistorn är fortfarande under utveckling. Intel bedömer att man kommer att tillverka de första produkterna med den nya transistorn år 2005.
Lisa Ringström
