About / Advertise
Morgondagens processorer från Intel och AMD kommer att kräva strömstyrkor på 100 eller rentav 120 ampere. De DC-DC-omvandlare som ska strömförsörja sådana konstruktioner kommer att avge en hel del värme, och utmaningen för konstruktörerna ligger i att få bort denna värme.
Komponentleverantörerna har hittills mest fokuserat på förbättringar av själva kislet i kraftkomponenterna, medan kapseln inte varit utsatt för samma utveckling - de flesta fälteffekttransistorer - "FET:ar" - kapslas alltjämt i någon variant av SO-8.
Halvledartillverkaren International Rectifier, IR, har nu försökt göra något åt problemet genom att lansera Direct FET, en serie krafttransistorer kapslade på ett helt nytt sätt. Huvudtanken är att leda bort värme både upptill och nertill, vilket inte är möjligt med SO-8.
Det radikala greppet IR tagit är att låta hela översidan på kapseln utgöra drain-sidan av transistorn. Source-sidan ansluts och kyls genom två ganska stora ytor på undersidan, medan styret (gaten) inte behöver mer än en mindre anslutnings- och kylyta, även denna på undersidan. Ovansidan kan därmed, via värmeledande fyllning, leda den värme som utvecklas i strömmatningen till chassit.
IR hävdar att dessa komponenter bara har tiondelen så stor resistans som vanliga SO-8, och en total värmebortledning som är dubbelt så bra.
Dessutom gör konstruktionen att kapseln bara är 0,7 mm hög, alltså mindre än hälften av SO-8.
De första komponenterna i serien, som finns i provexemplar, är gjorda för 14 och 28 A och 20 eller 30 V inspänning. De har en specifik resistans R DS(ON) på som minst 2,7 milli Ohm.
Kapselutvecklingen har tvingat fram en total omkonstruktion av kislet, vilket gör att det är cirka 30 procent större än IRs föregångare. även priset ligger över. Men enligt IR tjänar användaren ändå på att använda denna produkt, eftersom systemkostnaden blir lägre då färre komponenter behövs och kylningen inte kostar något extra.
Från SO-8 till Direct FET. Den nya kapseln från International Rectifier leder bort värmen på både under- och översidan vilket inte är möjligt med vanliga SO-8-kapslar. Dessutom är den lägre.
Halvledartillverkaren International Rectifier, IR, har nu försökt göra något åt problemet genom att lansera Direct FET, en serie krafttransistorer kapslade på ett helt nytt sätt. Huvudtanken är att leda bort värme både upptill och nertill, vilket inte är möjligt med SO-8.
Det radikala greppet IR tagit är att låta hela översidan på kapseln utgöra drain-sidan av transistorn. Source-sidan ansluts och kyls genom två ganska stora ytor på undersidan, medan styret (gaten) inte behöver mer än en mindre anslutnings- och kylyta, även denna på undersidan. Ovansidan kan därmed, via värmeledande fyllning, leda den värme som utvecklas i strömmatningen till chassit.
IR hävdar att dessa komponenter bara har tiondelen så stor resistans som vanliga SO-8, och en total värmebortledning som är dubbelt så bra.
Dessutom gör konstruktionen att kapseln bara är 0,7 mm hög, alltså mindre än hälften av SO-8.
De första komponenterna i serien, som finns i provexemplar, är gjorda för 14 och 28 A och 20 eller 30 V inspänning. De har en specifik resistans R DS(ON) på som minst 2,7 milli Ohm.
Kapselutvecklingen har tvingat fram en total omkonstruktion av kislet, vilket gör att det är cirka 30 procent större än IRs föregångare. även priset ligger över. Men enligt IR tjänar användaren ändå på att använda denna produkt, eftersom systemkostnaden blir lägre då färre komponenter behövs och kylningen inte kostar något extra.
Från SO-8 till Direct FET. Den nya kapseln från International Rectifier leder bort värmen på både under- och översidan vilket inte är möjligt med vanliga SO-8-kapslar. Dessutom är den lägre.
Adam Edström
