About / Advertise
Med sikte på att skapa optoelektriska kretsar i nanoskala har ett forskarlag vid Southampton University i England utvecklat en teknik som innebär att ytan hos en bit halvledande gallium blir metalliskt ledande vid ljusexponering.
- Vi siktar på att utveckla en struktur som kan placeras i änden av en optisk fiber, en optoelektrisk krets på en enda nanopartikel, förklarar professor Nikolay Zheludev, som leder forskningsprojektet. Arbetet befinner sig visserligen fortfarande på grundforskningsnivå, men forskarna har lämnat in en patenansökan och har nyligen också fått forskningsbidrag för att börja utveckla kretsar i nanoskala baserade på tekniken. Ändrar ledningsförmågan
Enligt Zheludev, som tillsammans med sina kollegor har publicerat sina resultat i tidskriften Physics Letters, visar deras arbete för första gången att ljus kan vara den huvudsakliga orsaken till omvandling av ledningsförmågan hos ett grundämne.
Gallium har hela nio möjliga kristallstrukturer, medan en del har god ledningsförmåga, är andra halvledande. Forskarna utgick från en struktur som är halvledande.
Med hjälp av en argonlaser sände de ljus in i galliumstrukturen, som var inklämd mellan två silverelektroder på glassubstrat. Ljuset skapade då ett 30 nm tjockt metalliskt ledande ytskikt. Det faktum att det ledande skiktet blev så tunt visar enligt forskarna att processen sker snabbt och vid låga energinivåer.
Fenomenet sker dessutom över ett brett spektrum, från 400 nm till 1 800 nm, vilket alltså täcker in det infraröda och hela det synliga spektrumet.
Att gallium är känsligt för infrarött ljus är särskilt betydelsefullt för eventuella framtida telekomtillämpningar.
Gittan Cedervall
