About / Advertise
Toshiba och Sony har presenterat vad som beskrivs som världens första 65 nm CMOS-process för systemkretsar med inbyggt DRAM.
Dagens systemkretsar produceras i 130 nm-processer, och Toshiba säger sig vara ensamt om att i dagsläget kunna massproducera 90 nm-varianter med inbyggt DRAM. Men redan nu tittar man alltså på 65 nm-generationen där Sony och Toshiba gemensamt har lyckats tillverka inbyggt DRAM med minnesceller på endast 0,11 kvadratmikrometer. Därmed kan mer än 256 Mbit integreras på en enda krets. Företagsduon siktar även på att integrera SRAM, för att göra det möjligt att bygga in cacheminne i systemkretsarna. Målet är att tillverka SRAM-celler som upptar 0,6 kvadratmikrometer. Den nya tekniken sägs dessutom ge snabba transistorer med kanallängder på endast
30 nm.
Lågt k-värde nödvändigt
En förutsättning för att krympa kretsen är att avståndet mellan ledarna minskar.
Den nya teknologin har 180 nm mellan metalledarna i det undre metallagret, vilket är en minskning med 75 procent jämfört med 90 nm-generationen. För att minska fördröjning och effektförbrukning i ledarna används ett dielektrika med lågt k-värde.
Charlotta von Schultz
Charlotta von Schultz
