Forskning Integrated Storage Devices, ISD, hävdar att de kan få in fyra bitar i varje minnescell i ett icke-flyktigt minne. Därmed slår man Intel som sommaren 1994 uppgav att man fått in två bitar i varje cell i ett flashminne på 16 Mbit.
ISD vill inte avslöja några tekniska detaljer och säger sig inte ha några planer på att göra en kommersiell produkt av tekniken.
Nyligen presenterade också NEC och Samsung flashminnen med flera bitar per cell vid ISSCC-konferensen, International Solid State Circuit Conference, i San Francisco.
NEC har tillverkat ett 64-Mbitminne med två bitar i varje cell som inte är större än 98 mm2. Genom att variera drain-spänningen mellan 0, 4, 5 och 6 volt förändras också tröskelspänningen.
Samsung rapporterade om ett 128-Mbitminne som är uppbyggt kring en seriell NAND- teknik.