About / Advertise
IBM lyckats med att bygga in DRAM i sin kisel-på-isolatorprocess. Resultatet förväntas leda till att DRAM kan ersätta SRAM i inbyggda cacheminnen i processorer.
På VLSI-symposiet i Honolulu släppte IBM nyheten att företaget har lyckats med att bygga in DRAM i en logisk krets tillverkad med kisel-på-isolator, SOI. I och med detta har företaget kommit ytterligare en bit på väg i utvecklingen av system-på-kisel.
Då DRAM kan byggas in på chipset blir det tillräckligt snabbt för att kunna ersätta SRAM i cache-minnena.
Möjligheten att bygga in DRAM i SOI-kretsar skapar nya förutsättningar att få in stora mängder minne i systemkretsarna.
- Genombrottet är ett viktigt steg i utvecklingen av mer integrerade chips, uppger Ghavam Shahidi, projektledare för SOI på IBM Microelectronics, i Electronic Buyers News.
- Detta innebär att vi nu kan satsa på nya generationer av geometrier, ännu mindre än den hägrande 0,1-µm-tekniken.
Att bygga in DRAM i logiska processer innebär vissa utmaningar. Det fungerar inte att placera ett DRAM direkt på kislet i en SOI-krets, då skulle transistorläckaget bli alltför stort. Forskarna på IBM löste detta med en teknik de kallar "mönstrad" SOI. Mönstret består av kiselskivor med SOI där vanlig CMOS läggs in. DRAM-cellerna isoleras på CMOS-fälten och därmed kan minnen och logik existera tillsammans utan att några av delarna behöver ge avkall på prestanda.
Mönstringstekniken innebär att man måste lägga till ett extra masksteg vid tillverkningen vilket sägs öka produktionskostnaderna med ungefär 10 dollar per kiselskiva.
Testexemplaren med den nya mönstertekniken är 64-Mbitars EDO DRAM byggda i IBMs 0,25 µm-teknik. Tekniken är inte produktionsfärdig ännu, och i början kommer IBM främst att tillverka chips för eget behov. De första kommersiella exemplaren ut på marknaden kommer troligtvis att bli i 0,18 µm-teknik.
Då DRAM kan byggas in på chipset blir det tillräckligt snabbt för att kunna ersätta SRAM i cache-minnena.
Möjligheten att bygga in DRAM i SOI-kretsar skapar nya förutsättningar att få in stora mängder minne i systemkretsarna.
- Genombrottet är ett viktigt steg i utvecklingen av mer integrerade chips, uppger Ghavam Shahidi, projektledare för SOI på IBM Microelectronics, i Electronic Buyers News.
- Detta innebär att vi nu kan satsa på nya generationer av geometrier, ännu mindre än den hägrande 0,1-µm-tekniken.
Att bygga in DRAM i logiska processer innebär vissa utmaningar. Det fungerar inte att placera ett DRAM direkt på kislet i en SOI-krets, då skulle transistorläckaget bli alltför stort. Forskarna på IBM löste detta med en teknik de kallar "mönstrad" SOI. Mönstret består av kiselskivor med SOI där vanlig CMOS läggs in. DRAM-cellerna isoleras på CMOS-fälten och därmed kan minnen och logik existera tillsammans utan att några av delarna behöver ge avkall på prestanda.
Mönstringstekniken innebär att man måste lägga till ett extra masksteg vid tillverkningen vilket sägs öka produktionskostnaderna med ungefär 10 dollar per kiselskiva.
Testexemplaren med den nya mönstertekniken är 64-Mbitars EDO DRAM byggda i IBMs 0,25 µm-teknik. Tekniken är inte produktionsfärdig ännu, och i början kommer IBM främst att tillverka chips för eget behov. De första kommersiella exemplaren ut på marknaden kommer troligtvis att bli i 0,18 µm-teknik.
Lisa Ringström
