Den nya schottkydioden kan användas i kompakta, switchade kraftförsörjningssystem, SMPS, med höga frekvenser och lämpar sig för serversystem och basstationer för mobiltelefoni. De låga förlusterna gör att kraftförsörjningssystemen kan konstrueras utan fläkt eller kyldon.
Kiselkarbid, SiC, har fördelen att ha hög Schottkybarriär och en termisk ledningsförmåga som påminner om koppar. Egenskaperna gör att en diod uppbyggd av kiselkarbid får lägre läckströmmar, låg resistans och hög strömtäthet. Då vanliga Schottkydioder med kisel klarar spänningar på 200 V och motsvarande dioder i galliumarsenid kommer upp till 250 V, klarar dioder i kiselkarbid en spänningsvariation mellan 300 och 3 500 V.
Infineons dioder finns i provexemplar för 600 V och 300 V. Volymproduktionen planeras att komma igång i april.
Lisa Ringström