JavaScript is currently disabled.Please enable it for a better experience of Jumi.
 ETN.fi  Annonsera Utgivningsplan Månadsmagasinet Prenumerera Konsultguide Om oss  About / Advertise
torsdag 24 september 2020 VECKA 39
Forskare på universitetet i Ohio har lyckats demonstrera vad man påstår är det första organiska minnet som använder spinntronikegenskaper för att läsa och skriva.
Forskarna hävdar att spinntronik på sikt kan ge minnen som är mindre, processar data snabbare och drar mindre energi än traditionella minnen.

Prototypen som man har lyckats skapa beskrivs som en materialmässig hybrid bestående av en organisk halvledare och ett speciell magnetisk halvledarpolymer. Det är alltså ett första steg mot det helt organiska minne med spinntronikegenskaper som forskargruppen i Ohio hoppas kunna skapa i framtiden.

– Spinntronik anses ofta bara vara ett sätt att få ut mer information ur en elektron, men det handlar faktiskt om att ta steget till nästa generations elektronik. Vi skulle kunna lösa många av dagens datorproblem idag genom att använda spinntronik, säger Arthur Epstein, professor och ansvarig för utvecklingsarbetet av spinntronikminnet på universitetet.

Ett stort problem på dagens kretskort är värmeutvecklingen. Det krävs mycket energi för att kyla korten samtidigt som kretsarna inte kan packas för tätt på grund av risk för överhettning.

– Att byta spinnriktningen hos en elektron kräver lite energi och producerar knappt någon värme. Det innebär att spinntronikkretsar kan matas med mindre batterier och om de är gjorda i plast blir de även lätta och flexibla, förklarar Arthur Epstein.

Tekniken är alltså som klippt och skuren för bärbar elektronik, menar forskarna.

Prototypen som tagits fram fungerar i stort så att elektroner förs in i polymeren där ett magnetiskt fält orienterar deras spinna – rotation – endera med- eller motsols. Därefter kan elektronerna passera in i det magnetiska lagret, förutsatt att de har samma spinnriktning. Är spinnriktningen den motsatta blir resistansen för hög för att elektronerna ska kunna passera. Forskarna har alltså kunnat läsa kretsens spinndata genom att avgöra om resistansen är hög eller låg.

Mer om Ohioforskarnas minnesprototyp går att läsa i tidskriften Nature Materials augustinummer (se länk).
MER LÄSNING:
 
Pappersmagasinet Nyhetsbrev
SENASTE KOMMENTARER
Kommentarer via Disqus

Vi gör Elektroniktidningen

Anne-Charlotte Sparrvik

Anne-Charlotte
Sparrvik

+46(0)734-171099 ac@etn.se
(sälj och marknads­föring)
Per Henricsson

Per
Henricsson
+46(0)734-171303 per@etn.se
(redaktion)

Anna Wennberg

Anna
Wennberg
+46(0)734-171311 anna@etn.se
(redaktion)

Jan Tångring

Jan
Tångring
+46(0)734-171309 jan@etn.se
(redaktion)