JavaScript is currently disabled.Please enable it for a better experience of Jumi.
 ETN.fi  Annonsera Utgivningsplan Månadsmagasinet Prenumerera Konsultguide Om oss  About / Advertise
lördag 19 september 2020 VECKA 38
En snabbswitchande och effektiv DC/DC-omvandlare demonstreras på kraftkoferensen APEC 2013 som just nu pågår i Long Beach i Kalifornien. Switchen i galliumnitrid är självklart nyckelkomponenten.
På APEC 2013 – The Applied Power Electronics Conference and Exposition visas flera nya intressanta skapelser på power-temat för första gången.

Amerikanska  Arkansas Power Electronics International, APEI och kandensiska GaN Systems demonstrerar en DC/DC-omvandlare baserad på effekttransistorer i galliumnitrid vars tillslagstid anges till 8,25 ns och frånslagstid till 3,72 ns.

Enligt testresultat kan omvandlaren switcha med 1 MHz och nå en verkningsgrad över 98,5 procent vid 5kW uteffekt.

Omvandlaren som demonstreras har boost-arkitektur. Däremot sägs inget om vilka in- och utspänningar eller strömmar som den hanterar. Eller hur det ovan nämnda testet har gått till.

Samarbetsprojektet har finansierats av Sustainable Development Technology Canada, vars mål är att tekniken i framtiden ska kunna användas för att effektivisera hybrid- och elfordon.

I samband med konferensen bekräftar GaN Systems att RFMD är företagets foundry-partner sedan två år.
MER LÄSNING:
 
Pappersmagasinet Nyhetsbrev
SENASTE KOMMENTARER
Kommentarer via Disqus

Vi gör Elektroniktidningen

Anne-Charlotte Sparrvik

Anne-Charlotte
Sparrvik

+46(0)734-171099 ac@etn.se
(sälj och marknads­föring)
Per Henricsson

Per
Henricsson
+46(0)734-171303 per@etn.se
(redaktion)

Anna Wennberg

Anna
Wennberg
+46(0)734-171311 anna@etn.se
(redaktion)

Jan Tångring

Jan
Tångring
+46(0)734-171309 jan@etn.se
(redaktion)