Samtidigt som Innoscience är indraget i två patentprocesser kring GaN-teknik initierade av amerikanska EPC och tyska Infineon har ST Microelectronics inlett ett samarbete med det kinesiska bolaget. ST får tillgång till Innoscience resurser i Kina medan Innoscience får tillgång till ST:s resurser i framförallt Europa.
Bolagen ska utveckla GaN-komponenter tillsammans men avtalet ger också Innoscience tillgång till ST:s fabbar utanföra Kina för att tillverka GaN-chip.
ST kan å sin sida utnyttja Innoscience fabbar i Kina för sina GaN-produkter.
Inget sägs om omfattningen eller hur länge avtalet gäller, eller om några pengar byter händer.