JavaScript is currently disabled.Please enable it for a better experience of Jumi. ST och Innoscience i GaN-samarbete – Elektroniktidningen
söndag 6 april 2025 VECKA 14

Samtidigt som Innoscience är indraget i två patentprocesser kring GaN-teknik initierade av amerikanska EPC och tyska Infineon har ST Microelectronics inlett ett samarbete med det kinesiska bolaget. ST får tillgång till Innoscience resurser i Kina medan Innoscience får tillgång till ST:s resurser i framförallt Europa.

Bolagen ska utveckla GaN-komponenter tillsammans men avtalet ger också Innoscience tillgång till ST:s fabbar utanföra Kina för att tillverka GaN-chip.

ST kan å sin sida utnyttja Innoscience fabbar i Kina för sina GaN-produkter.

Inget sägs om omfattningen eller hur länge avtalet gäller, eller om några pengar byter händer.

Prenumerera på Elektroniktidningens nyhetsbrev eller på vårt magasin.


MER LÄSNING:

 
Rainer Raitasuo

Rainer
Raitasuo

+46(0)734-171099 rainer@etn.se
(sälj och marknads­föring)
Per Henricsson

Per
Henricsson
+46(0)734-171303 per@etn.se
(redaktion)

Jan Tångring

Jan
Tångring
+46(0)734-171309 jan@etn.se
(redaktion)

KOMMENTARER
Kommentarer via Disqus


6 banners varav 6 har onclick.