About / Advertise
Taiwans Union Semiconductor Technology siktar på att bli först i världen med att tillverka kommersiella magnetiska minneskretsar. Tidsmässigt ser företaget ut att kunna slå jättar som IBM, Infineon och Motorola, som också utvecklar så kallade MRAM-kretsar.
Det relativt okända taiwanesiska kretsföretaget Union Semiconductor Technology har lanserat en 1 Mbit MRAM-krets, som Mosel Vitelic i Taiwan ska börja volymtillverka redan i höst. De båda företagen har presenterat en ambitiös plan som innebär en kommersialisering av MRAM-teknik (magnetic random access memory) minst två år före konkurrenterna.
Infineon och IBM, som samarbetar på området, räknar med att ha provexemplar av MRAM-kretsar klara 2003 och tillverkning igång 2004. Deras första produkt blir en 256 Mbit krets tillverkad i en 0,13 µm-process vid gemensamägda Altis Semiconductor i Frankrike. Infineon har i en kommentar sagt att deras och IBMs kretsarkitektur ger mindre bitstorlek än Unions arkitektur.
Motorola meddelade tidigare i år att man planerar att göra 4 Mbit MRAM-kretsar i en 0,2 µm-process under 2004. Företaget har dock redan gjort en komplett demonstrationskrets och väntas ha provexemplar klara i början av 2003.
Enligt samtliga företag kommer MRAM att bli en minst lika viktig minnesteknik som DRAM, flash, SRAM och EPROM är idag. MRAM sägs vara snabbare och tätare än SRAM, energisnålare än flash och dessutom ha bättre läs- och skrivprestanda.
Union räknar med att deras 1 Mbit-kretsar ska användas främst för inbyggnad i tillämpningar såsom datorspel eller kontrollkretsar. Företaget planerar att lansera först 16 till 32 Mbit kretsar och därefter 64 till 256 Mbit kretsar innan slutet av 2001.
Infineon och IBM, som samarbetar på området, räknar med att ha provexemplar av MRAM-kretsar klara 2003 och tillverkning igång 2004. Deras första produkt blir en 256 Mbit krets tillverkad i en 0,13 µm-process vid gemensamägda Altis Semiconductor i Frankrike. Infineon har i en kommentar sagt att deras och IBMs kretsarkitektur ger mindre bitstorlek än Unions arkitektur.
Motorola meddelade tidigare i år att man planerar att göra 4 Mbit MRAM-kretsar i en 0,2 µm-process under 2004. Företaget har dock redan gjort en komplett demonstrationskrets och väntas ha provexemplar klara i början av 2003.
Enligt samtliga företag kommer MRAM att bli en minst lika viktig minnesteknik som DRAM, flash, SRAM och EPROM är idag. MRAM sägs vara snabbare och tätare än SRAM, energisnålare än flash och dessutom ha bättre läs- och skrivprestanda.
Union räknar med att deras 1 Mbit-kretsar ska användas främst för inbyggnad i tillämpningar såsom datorspel eller kontrollkretsar. Företaget planerar att lansera först 16 till 32 Mbit kretsar och därefter 64 till 256 Mbit kretsar innan slutet av 2001.
Gittan Cedervall
