JavaScript is currently disabled.Please enable it for a better experience of Jumi. Minne med 3G i kikarsiktet
Guidelines for contributing Technical Papers: download PDF

Amerikanska Micron Technologies lanserar det första flashminnet om 32 Mbit som klarar en drivspänning på 1,5 V. Minnet tar sikte på plattformar för 3G-telefoner.
Flashminnet klarar både att sända data skurvis (burst) och har sidbaserad (page) dataåtkomst. Det kan även läsa och skriva data på samma gång.

Minnet, kallat MT28F322D15FH, har ett gränssnitt för digitala basbandskretsar och sänder ut skurar av data 40 miljoner gånger per sekund.

Minnet är tänkt att användas inom tredje generationens mobiltelefoner. En anledning till att man sänker drivspänningen till 1,425 V är att det blir allt vanligare att kretspaket med digitalt basband (DBB) för 3G-plattformar drivs med den lägre spänningen.

Arkitekturen bygger på två minnesbanker, organiserade som 1 x 16 Mbit. Minnet har en asynkron åtkomsttid på 100 ns samt åtkomsttid på 30 ns för varje minnessida. Det har dessutom ett område för engångsprogrammering (OTP), anpassat för användning av säkerhetskoder.

I dag finns det provexemplar av MT28F322D15FH. Det kommer i en FBGA-kapsel med 58 lödkulor, som befinner sig 0,75 mm från varann. Micron tror att volymproduktionen sätter fart någon gång under nästa år.


Lisa Ringström

Prenumerera på Elektroniktidningens nyhetsbrev eller på vårt magasin.


MER LÄSNING:
 
KOMMENTARER
Kommentarer via Disqus

Rainer Raitasuo

Rainer
Raitasuo

+46(0)734-171099 rainer@etn.se
(sälj och marknads­föring)
Per Henricsson

Per
Henricsson
+46(0)734-171303 per@etn.se
(redaktion)

Jan Tångring

Jan
Tångring
+46(0)734-171309 jan@etn.se
(redaktion)