Att välja minne till nätverksprodukter är inte det lättaste. Allt fler snabba DRAM-alternativ konkurrerar med Rambus-minnen om att ersätta dyrare SRAM i switchar, routrar och andra tillämpningar med krav på hög bandbredd och snabb åtkomst. Men ett överflöd av minnesarkitekturer är inget plus för nätverkstillverkarna.

- En fragmenterad minnesmarknad är ett problem för oss och våra kunder. Vi måste kunna garantera tillgänglighet och prisbild, och då är det inte bra med många konkurrerande alternativ, säger Kenny Ranerup, teknikansvarig på Switchcore som hittills inte hoppat på de nya DRAM-baserade nätverksminnena utan använder Rambus-minnen i sina switchar.

Fetare marginaler

Marknaden för DRAM-baserade nätverksminnen (low latency DRAMs) är fortfarande i sin linda, och hittills verkar inte nätverkstillverkarna ha anammat nykomlingarna i någon större utsträckning. Men nätverksprodukter är mycket lockande för minnestillverkarna, trots att de flesta DRAM-minnen kommer att göra tjänst i pc-ar även framgent.

Marginalerna är betydligt fetare i switchar och routrar än i den hårt prispressade pc-industrin, och produktlivslängden är längre. Därför ger sig minnestillverkarna Samsung, Hynix och Elpida nu in i leken. Sedan tidigare erbjuder Fujitsu, Toshiba, Infineon och Micron snabba DRAM-minnen för nätverksprodukter. En gemensam nämnare är att de utlovar SRAM-lik prestanda till priser i DRAM-klass. Nästa år bedöms marknaden ta fart, och år 2005 väntas nätverksminnen att stå för 20 procent av den totala DRAM-marknaden, vilket motsvarar mer än 500 miljoner dollar enligt uppgifter i den amerikanska tidningen EET - Electronic Engineering Times.

Vad skiljer då ett nätverks-DRAM från ett pc-dito? Jo, medan ett pc-minne måste klara stora sekventiella dataströmmar, så kräver nätverksprodukter kort åtkomsttid, alltså kort tidsfördröjning från att adresseringen inleds till att data finns tillgängligt (latency), samt kort cykeltid, alltså tiden mellan upprepade läsningar av data.

Leverantörerna anger row cycle time, random cycle time eller kort och gott cycle time, vilket gör att en noggrannare titt i databladen krävs för att jämförelser mellan konkurrerande alternativ ska bli rättvisande.

Knoppande marknad spretar

Ett aber är emellertid att den knoppande marknaden för DRAM-baserade nätverksminnen redan är så pass fragmenterad. Fujitsu var först ut med en nätverksanpassade variant av sin så kallade FCRAM-familj, som även finns i en mobilanpassad version avsedd för att knuffa ut SRAM ur mobiltelefoner.

Prestandan förklaras av en finkornig matrisuppdelning och en tre-stegs pipeline med dold förladdning (precharge).

Företaget lanserade i början av året den andra generationen nätverksminnen. De rymmer 256 Mbit och lovar hastigheter på 200 MHz, cykeltider på 25 ns samt åtkomsttider på 22 ns. Minnet är utvecklat i samarbete med Toshiba, som agerar alternativleverantör av FCRAM-kretsar.

Huvudkonkurrenten är RL-DRAM-serien (Reduced Latency DRAM). Den har utvecklats av Infineon och licensieras av Micron som erbjuder ben- och funktionskompatibla minnen. Även dessa minnen är snabba tack vare en finkornig arkitektur.

De åtta minnesbankarna kan läsas sekventiellt, och minnet nås via direkt adressering; hela minnesordet anges på en gång vilket ger mindre fördröjning jämfört med adressmultiplexering. I februari började Infineon tillverka provexemplar på 256 Mbit som klarar 200 MHz, radcykeltider på 25 ns och åtkomsttider på 23 ns. Framöver utlovas 300 MHz-varianter. Minnesjätten Samsung har länge lurat i vassen, men i början av maj presenterades detaljerna i företagets nya minnesfamilj Network DRAM, som bygger på Fujitsus FCRAM-teknik. Företaget erbjuder provexemplar av 256 Mbit-kretsar som ska klara upp till 200 MHz. Radcykeltiderna ligger mellan 25 och 30 ns, medan åtkomsttiden är 22 till 26 ns.

Någon vecka tidigare späddes fragmenteringen på ytterligare när japanska Elpida och koreanska Hynix presenterade var sin egen lösning som bygger på den kommande DDR-2 standarden, medan övriga nätverks-DRAM bygger på DDR (Double Data Rate).

Enligt uppgifter i amerikanska EET ska Elpida till att börja med erbjuda cykeltider på 25-30 ns, i samma klass som dagens FCRAM och RL-DRAM. I framtiden utlovas en familj kallad Ultra HighSpeed DRAM med cykeltider på mindre än 10 ns. Hynix hoppas erbjuda provexemplar med cykeltider på 25-30 ns i början av nästa år.

Charlotta von Schultz