Ericsson Microelectronics tar hjälp av amerikanska Applied Materials för att utveckla sin BiCMOS-process.
Tillsammans ska företagen utveckla ett processteg för att tillverka så kallade shallow trench isolations.
- De behövs för att isolera olika delar i en BiCMOS-krets från varandra. Processteget ingår inte i den vanliga CMOS-processen, säger Bo Andersson som är chef för mikroelektroniken på Ericsson Microelectronics.
I processteget ingår etsning, kemisk ångdeponering och kemisk-mekanisk polering, CMP.
Sedan tidigare har Ericsson ett samarbetsavtal med kiselsmedjan Chartered Semiconductor i Singapore. Företagen ska gemensamt utveckla processer för rf- CMOS och en för BiCMOS.
- Vi ansvarar för att utveckla BiCMOS-processen och avtalet med Applied Materials är en del i det arbetet, säger Bo Andersson.
- Samarbetet med Chartered ger oss både tillgång till volymtillverkning, flexibilitet och teknologiutveckling.
Ericssons BiCMOS-process ska var klar för volymproduktion under tredje kvartalet nästa år. Processen körs idag i Kista med en kanallängd på 0,35 μm men ska i första steget krympas till 0,25 μm och sedan till 0,18 μm.