About / Advertise
Tiden för att utveckla en ny halvledarprocess har sjunkit från tre till två år. Det har fått gruppen bakom International Technology Roadmap for Semiconductors, ITRS, att revidera sina prognoser.
Redan idag har flera företag kört igång CMOS-processer för minnen och logik på 0,13 µm. Det är ett år tidigare än vad som förutspåddes i 1999 års rapport från ITRS. Och det tog bara två år att gå från 0,25 µm till 0,18 µm.
Utvecklingen har fått ITRS att ta fram en uppdaterad version av sin prognos för processteknik. Den innehåller tre scenarios. Nummer ett är det försiktigaste där 0,10 µm kommer i produktion först år 2005. Scenario 1,5 spår att 0,10 µm kommer 2004 och det aggressivaste, som kallas scenario 2, spår att tvåårscyklerna kommer att fortsätta och att 0,10 µm blir kommersiellt tillgängligt redan år 2003.
I scenario 2, som har flest anhängare och förespråkas av amerikaner och européer, kommer 90 nm år 2004, 65 nm år 2007, 45 nm år 2010, 33 nm år 2013 och 23 nm år 2016 om allt går vägen.
Att utvecklingen gått fortare än förväntat förklaras till en viss del av att litografitekniken utvecklats snabbt. Det är tekniken med KrF-lasrar på 248 nm som kombinerat med optisk korrektion, fasskiftsteknik och bättre resist lett till att det idag finns fungerande mönsterpassare för 0,13 µm.
även om ITRS nu spår att 0,10 µm kommer redan om två år så återstår det problem att lösa, bland annat med maskerna och defekter. Under året ska ITRS ta fram en helt ny version av sin prognos där man tar hänsyn till dessa problem.
ITRS är ett samarbetsprojekt mellan amerikanska, europeiska asiatiska och japanska halvledartillverkare.
Utvecklingen har fått ITRS att ta fram en uppdaterad version av sin prognos för processteknik. Den innehåller tre scenarios. Nummer ett är det försiktigaste där 0,10 µm kommer i produktion först år 2005. Scenario 1,5 spår att 0,10 µm kommer 2004 och det aggressivaste, som kallas scenario 2, spår att tvåårscyklerna kommer att fortsätta och att 0,10 µm blir kommersiellt tillgängligt redan år 2003.
I scenario 2, som har flest anhängare och förespråkas av amerikaner och européer, kommer 90 nm år 2004, 65 nm år 2007, 45 nm år 2010, 33 nm år 2013 och 23 nm år 2016 om allt går vägen.
Att utvecklingen gått fortare än förväntat förklaras till en viss del av att litografitekniken utvecklats snabbt. Det är tekniken med KrF-lasrar på 248 nm som kombinerat med optisk korrektion, fasskiftsteknik och bättre resist lett till att det idag finns fungerande mönsterpassare för 0,13 µm.
även om ITRS nu spår att 0,10 µm kommer redan om två år så återstår det problem att lösa, bland annat med maskerna och defekter. Under året ska ITRS ta fram en helt ny version av sin prognos där man tar hänsyn till dessa problem.
ITRS är ett samarbetsprojekt mellan amerikanska, europeiska asiatiska och japanska halvledartillverkare.
Per Henricsson
