JavaScript is currently disabled.Please enable it for a better experience of Jumi.
 ETN.fi  Annonsera Utgivningsplan Månadsmagasinet Prenumerera Konsultguide Om oss  About / Advertise
tisdag 14 juli 2020 VECKA 29
Hewlett-Packard har börjat testa de första provexemplaren av en ny typ av icke-flyktigt minne byggt på memristorteknik. Företaget siktar på massproduktion och hoppas introducera kommersiella produkter 2013.
Det var forskare på Hewlett-Packard som tog fram den första fungerande memristorn, ibland kallad den fjärde grundläggande komponenten jämte resistorn, kondensatorn och induktorn. En memristor - kombinationen av minne och resistor - blir mer eller mindre resistiv beroende på hur mycket ström som passerat genom den, och behåller sin resistans även efter att strömmen slagits av, se länk.

Nu har HP tagit fram provkretsar av ett minne byggt av memristorer, beskrivna i senaste utgåvan av tidskriften Nature. Poängen är att memristorn är betydligt mindre än transistorerna i flashminnen, vilket gör att HP vågar hoppas på en minnestäthet kring 20 Gbyte per kvadratcentimeter lagom till marknadsintroduktionen om tre år. Det är dubbelt så mycket minne per yta som flashminne väntas ha vid den tiden, skriver nyhetsbrevet Technology Review.

Enligt HP finns fler fördelar med memristorminnet. Framför allt klarar det, åtminstone i teorin, tio gånger fler skrivcykler, uppemot en miljon jämfört med 100 000 för flashminnen. Men skeptikerna påpekar att detta inte provats i praktiken. Hur de minimala memristorerna ska strömförsörjas i stor skala är också olöst, och frågetecken finns även för snabbheten, och för tillförlitligheten på lång sikt. Det finns fundamentala egenskaper i metalloxiderna som inte är utforskade än, konstaterar Technology Review.

De provkretsar HP nu fått fram är gjorda i konventionell halvledarteknik på 300 mm kiselskivor. De produceras genom att ett stort antal nanotrådar läggs parallellt på kiselsubstratet och täcks med ett lager titandioxid som bara är några nanometer tjockt. Därpå läggs ytterligare ett lager nanotrådar vinkelrätt mot de första. Memristorerna, så små som tre nanometer, ligger i skärningspunkterna. Strukturen gör det möjligt att stacka flera lager på höjden.

HP tänker hur som helst gå vidare och siktar på massproduktion av memristorminnena.

– Våra labbresultat har varit bra och det är dags att testa memristorerna i fabriken, säger Stan Williams, chef för HPs informations- och kvantsystemlabb, till Technology Review.
MER LÄSNING:
 
Här får du våra nyheter gratis
• Tidningen, i brevlådan (länk).

• Dagligt nyhetsbrev (länk).

245
elektronik­konsulter

Registrera ditt företag nu!
SENASTE KOMMENTARER
Kommentarer via Disqus

Vi gör Elektroniktidningen

Anne-Charlotte Sparrvik

Anne-Charlotte
Sparrvik

+46(0)734-171099 ac@etn.se
(sälj och marknads­föring)
Per Henricsson

Per
Henricsson
+46(0)734-171303 per@etn.se
(redaktion)

Anna Wennberg

Anna
Wennberg
+46(0)734-171311 anna@etn.se
(redaktion)

Jan Tångring

Jan
Tångring
+46(0)734-171309 jan@etn.se
(redaktion)