Inuti modulen finns ett flertal minnesfunktioner staplade på varandra. Där ingår två NAND-flash på vardera 16 Gbit och en styrenhet, ett mobile DRAM på 1 Gbit som stöd till processorn samt ett NAND på 2 Gbit för mer allmänna mobilfunktioner.
- Vårt nya minneschips passar mobiltelefontillverkarna perfekt. Det är extremt robust och kommer att minska utvecklingstiden markant, säger Gerd Schauss, marknadschef för minnen på Samsung Semiconductor Europe.
Modulen siktar främst på 3G-telefoner och finns att få i prover.