JavaScript is currently disabled.Please enable it for a better experience of Jumi.

10 procent mindre förluster och dessutom 10 procent mindre storlek. Det är budskapet när Renesas släpper AE5, en ny generation IGBT:er i kisel.

Ekvationen är enkel: minska förlusterna så blir körsträckan längre. Den femte generationen av Renesas IGBT:er siktar på invertrar för elfordon med batterier på 400–800 V.

Transistorerna kommer i fyra varianter på 750 V (220 A eller 300 A) respektive 1200 V (150 A eller 200 A).

Prestanda är specificerat för en temperatur i övergången (junction) från −40°C till +175°C. Vidare är Vce (saturation voltage) 1,3 V vilket minskar förlusterna.

Strömdensiteten är 10 procent högre jämfört med konventionella produkter enligt Renesas och den fysiska storleken är liten med 100 mm2 / 300 A.

För att underlätta utvecklingsarbetet har företaget tagit fram en referenskonstruktion för en inverter med IGBT, styrkrets, power management (PMIC), gatedrivare och diod (FRD).

Referenskonstruktionen finns också i form av ett utvecklingspaket.

Kretsarna levereras okapslade (som wafer).

MER LÄSNING:
 
SENASTE KOMMENTARER
Kommentarer via Disqus