GaN mot högre strömmar
![](/images/stories/-2015/9/GaN.png)
GaN Systems säger sig vara först i världen att erbjuda en bred produktportfölj av krafttransistor i GaN-på-Si. Nu spär företaget alltså på sin portfölj med en första transistor som hanterar 650 V och 100 A. Den har hög switchhastighet, över 100 V per nanosekund, och låga förluster, enligt GaN Systems.
GS66540C kommer i en kapsel speciellt utvecklad för höga strömmar. Den har lägre induktans än tidigare GaN-kapsling och är extra robust, helt utan bondtrådar.
Nykomlingen levereras i prover till större kunder som arbetar inom segmenten industri, fordon och solenergi.